Using the methods of reactive cathode sputtering in a low-voltage, penning-discharge installation, dielectric films from silica, silicon nitride, aluminum nitride, etc. are obtained. Parameters of the films in MDMstructures, their optical properties and porosity are investigated as a function of the deposition rate, substrate temperature and reaction gas pressure. It is found out that the films from silicon nitride exhibit the highest dielectric strength and those from silicon dioxide show the least dielectric loss.

Приведены современные результаты деятельности и научно-технические разработки научной школы ТУСУРа, связанной с методами получения наноструктур по технологии ионно-плазменного осаждения и зародившейся под руководством Г.А. Воробьева в 1970 г. Приводятся результаты о выполненных исследованиях в этой облас-ти, а также сведения об их внедрении в производство изделий микроэлектроники в виде нанослоев различного назначения. Ключевые слова: ионно-плазменное распыление, магнетронная распылительная система, пеннинговская рас-пылительная система, диэлектрические, резистивные и проводящие наноструктуры.

No abstract

.

In this paper, we present the research results on the formation mechanism of stoichiometric compounds of complex thin films formed by ion-plasma sputtering in reactive gases environment. The kinetics of complex films’ formation and growth is studied as well as the change in characteristics of microelectronics elements formed on the basis of thin films during their electron-ion bombardment.