Selective processes that proceed during formation of aluminum layers near the phase equilibrium in a plasma-condensate system

Perekrestov, V. I.; Kornyushchenko, A. S.; Kosminskaya, Yu. A.

doi:10.1134/s1063784208100174

Cited by 13 publications

(6 citation statements)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Proximity of normal and tangential mechanisms of the crystal growth is confirmed by the fact that in Fig.3b several crystals labeled with arrows have faceting appropriate to tangential growth along the (210) plane. It should be stressed as well that, due to quasi-equilibrium conditions of the condensation process, there is no secondary nucleation in the regions of crystallite joining what governs formation of the columnar structures [21].…”

Section: Nariomentioning

confidence: 99%

Self-organization of quasi-equilibrium steady-state condensation in accumulative ion-plasma devices

et al. 2009

View full text Add to dashboard Cite

We consider both theoretically and experimentally self-organization process of quasi-equilibrium steadystate condensation of sputtered substance in accumulative ion-plasma devices. It has been shown that the self-organization effect is caused by self-consistent variations of the condensate temperature and the supersaturation of depositing atoms. Two possible types of self-organization process have been found out on the basis of the phase-plane method. The aluminium condensation experimental data confirming the self-organization nature of quasi-equilibrium steady-state condensation are discussed.

show abstract

Section: Nariomentioning

confidence: 99%

Self-organization of quasi-equilibrium steady-state condensation in accumulative ion-plasma devices

et al. 2009

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…В цьому випадку передача надлишкової енергії від частинок плазми до адатомів, додатковий розігрів ростової поверхні плаз-мою, а також надлишкова енергія осаджуваних атомів в значній мірі підвищують ймовірність повторного ревипаровування адато-мів. Раніше ми зазначали [15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29], що врахувати дію плазми на по-верхню росту можна шляхом зниження Е d до ефективного значен-ня. При цьому конденсація зворотних парових потоків має свої від-мітні особливості, які визначаються відсутністю автономного на-грівача підложжя 6 та дією на ростову поверхню більш енергетич-них йонів плазми.…”

Section: методика експериментуunclassified

Effect of Decrease in a Threshold of Percolation in Ultrathin Films of Silver at Quasi-Equilibrium Condensation and Action of Plasma on a Growth Surface

Kosminska¹,

Perekrestov²,

Загайко³

2016

Metallofiz. Noveishie Tekhnol.

View full text Add to dashboard Cite

Вивчено закономірності структуроутворення надтонких плівок срібла на відколах KCl, а також на відколах KCl, покритих шаром полімеру PC403 або ma-N405. Виявлено ефект, еквівалентний зниженню порогу перколя-ції. Він є наслідком використання методики осадження, при якій на по-верхню підложжя безпосередньо діє низькотемпературна плазма та пари конденсуються за умов, близьких до термодинамічної рівноваги. На осно-ві досліджень за допомогою просвітлювальної електронної мікроскопії й електронної дифракції встановлено, що зародження плівки срібла відбу-вається у вигляді формування надтонкого аморфного шару, а при пода-льшому нарощуванні плівки стається поступовий перехід у полікристалі-чний стан або зародження та ріст незв'язаних один з одним об'ємних кри-сталів.Ключові слова: плівка срібла, перколяція, нуклеація, аморфна фаза, ма-гнетронне розпорошення, плазма.Изучены закономерности структурообразования сверхтонких плёнок се-ребра на сколах KCl, а также сколах KCl, покрытых полимером PC403 или ma-N405. Обнаружен эффект, эквивалентный снижению порога пер-коляции. Он является следствием использования методики осаждения, при которой на поверхность подложки непосредственно воздействует

show abstract

“…Некоторые особенности самоорганизации низкоразмерных систем при конденсации слабо пересыщенных паров нами рассмотрены в [11][12][13][14]. В этой связи определенный интерес представляют харак-терные особенности формирования наносистем Zn непосредственно на внешней поверхности мембраны АОА при условии предельно слабых пересыщений осаждаемых паров.…”

unclassified

Структурообразование Наносистем Цинка При Использовании Мембран АОА

Корнющенко¹,

Перекрестов²,

Наталич³

et al. 2017

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Поступило в Редакцию 26 сентября 2016 г.Предложен способ получения наносистем Zn при конденсации слабопересы-щенных паров на систему мембрана анодно-окисленного алюминия (АОА) -подложка (Si). Для эффективного проникновения паров Zn в глубь пор АОА параллельно образующим пор формировался направленный паровой поток, при этом температура внешней поверхности мембраны была выше температуры подложки. Слабые паровые потоки получены при магнетронном распылении Zn в высокочистой инертной среде. Определены оптимальные условия формирова-ния наносистем Zn в виде массива упорядоченных островков на поверхности подложки и связанных нанонитей на поверхности мембраны. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44303.16485 Упорядоченные массивы наноостровков металлов и полупроводни-ков привлекают значительный научный интерес благодаря перспек-тивам их использования в электронике, оптоэлектронике, сенсорах, ультратонких мониторах, устройствах хранения информации высокой плотности [1,2]. Различные наносистемы металлов обычно получают используя наношаблоны в виде мембран анодно-окисленного алюми-ния (АОА) [3][4][5], электронно-лучевую литографию [6-8] и процессы самоорганизации [9,10]. Важно подчеркнуть, что для реализации шаб-лонного метода с применением мембран АОА обычно используется электролитическое осаждение [4,5]. Необходимым условием реализации электролитического осаждения является достаточная для этого электро-проводность подложек. Следовательно, спектр применяемых при этом подложек имеет определенные ограничения.В отличие от электролитического осаждения для формирования упорядоченных массивов наноостровков Zn нами предложен более универсальный метод конденсации вещества вблизи термодинамиче-ского равновесия на систему мембрана АОА -подложка. При этом 94

show abstract

Selective processes that proceed during formation of aluminum layers near the phase equilibrium in a plasma-condensate system

Cited by 13 publications

References 5 publications

Self-organization of quasi-equilibrium steady-state condensation in accumulative ion-plasma devices

Self-organization of quasi-equilibrium steady-state condensation in accumulative ion-plasma devices

Effect of Decrease in a Threshold of Percolation in Ultrathin Films of Silver at Quasi-Equilibrium Condensation and Action of Plasma on a Growth Surface

Структурообразование Наносистем Цинка При Использовании Мембран АОА

Contact Info

Product

Resources

About