Silicon Epitaxial Layers with Non‐Uniform Doping Profiles (I). The Model Parameters' Adjustment

Abstract

The non-uniform doping profiles may prove useful for some semiconductor devices instead of the uniform ones. In the paper the doping mechanism of silicon epitaxial layers in the SiC1,-H,-PH, system is investigated. The epitaxial doping profile simulation program is developed based on the WONG-REIF trapping model and taking into account also the difference between dopant profile and the charge carrier profile. The three unknown parameters of the WONG-REIF model are found with the aid of the simulation program.UngleichmaBig dotierte Schichten konnen fur einige Halbleiterelemente gunstiger sein als gleichmaBig dotierte. In diesem Artikel wird der Dotanden-Einbaumechanismus von epitaktischen Schichten in1 System SiC1, -H, -PH, untersucht. Das Simulationsprogramm des Dotierungsprofils beruht auf dem WONG-REIF Einfang-Model1 und berucksichtigt den Unterschied zwischen dem Dotierungsprofil und dem Ladungstragerprofil. Die drei ungekannten Parameter des WONG-REIF Modells wurden mit Hilfe dieses Simulationsprogramms gefunden.