The non-uniform doping profiles may prove useful for some semiconductor devices instead of the uniform ones. In the paper the doping mechanism of silicon epitaxial layers in the SiC1,-H,-PH, system is investigated. The epitaxial doping profile simulation program is developed based on the WONG-REIF trapping model and taking into account also the difference between dopant profile and the charge carrier profile. The three unknown parameters of the WONG-REIF model are found with the aid of the simulation program.UngleichmaBig dotierte Schichten konnen fur einige Halbleiterelemente gunstiger sein als gleichmaBig dotierte. In diesem Artikel wird der Dotanden-Einbaumechanismus von epitaktischen Schichten in1 System SiC1, -H, -PH, untersucht. Das Simulationsprogramm des Dotierungsprofils beruht auf dem WONG-REIF Einfang-Model1 und berucksichtigt den Unterschied zwischen dem Dotierungsprofil und dem Ladungstragerprofil. Die drei ungekannten Parameter des WONG-REIF Modells wurden mit Hilfe dieses Simulationsprogramms gefunden.

In Part I of the paper the epitaxial doping profile simulation program was described based on the WONG-REIF trapping model for the SiCI,-H,-PH, system. This model is used in Part I1 to design the non-uniform profile epilayer processing procedure accounting also for the parasitic effect of autodoping. Several epilayers with exponential doping profiles are realized. The resulting profiles exhibit very close agreement with the target profiles.Teil I dieses Artikels enthalt die Beschreibung des Simulations-Programms von epitaktischen Dotierungsprofilen, basierend auf dem WONG-REIF Einfang-Modell fur das SiC1,-H, -PH, System. Im Teil I1 wird dieses Model1 verwendet zum Entwurf des Abscheidungsverfahrens von ungleichmaBigen epitaktischen Schichten unter Beriicksichtigung des parasitischen Autodoping-Effekts. Einige epitaktische Schichten mit exponentiellem Dotierungsprofil wurden abgeschieden. Die resultierenden Profile erweisen eine sehr gute Ubereinstimmung mit den Zielprofilen.

No abstract