Single-Crystal CdTe Homojunction Structures for Solar Cell Applications

Su, Pei-Fang; Dahal, R.; Wang, G.-C.; Zhang, Shou-Cheng; Lu, Toh‐Ming; Bhat, Ishwara B.

doi:10.1007/s11664-015-3829-y

Cited by 16 publications

(13 citation statements)

References 10 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…1 и 2 следует, что вхождение мышьяка в CdTe имеет выраженную зависимость от кристаллографической ориентации роста и увеличивается в ряду (111)B → (100) → (310 [11,16], в которых из паров ДИПТ и ДМК были получены слои CdTe : As с концентрацией дырок до p = 6 • 10 16 см −3 . Доля электрически активного мышьяка при этом составляла ∼ 3% в работе [11] и не превышала 1% в работе [16]. Известно, что высокотемпературный отжиг приводит к изменению равновесной концентрации как собственных, так и связанных с примесными атомами дефектов в легированных слоях, а последующее быстрое охлаждение -к " закалке" этого состояния.…”

Section: результаты и их обсуждениеunclassified

“…Концентрация дырок в слоях, выращенных при отношении ДИПТ/ДМК = 1, увеличивается с продолжительностью отжига и достигает максимального значения p = 1 • 10 17 см −3 в течение 60 мин. Этот результат несколько выше значений, полученных в [11,12,15,16], и близок к рекордным значениям концентраций дырок p = (1−2) • 10 17 см −3 в легированных мышьяком эпитаксиальных слоях CdTe, полученных методом MOCVD [6,13,21,22]. Тем не менее доля электрически активного мышьяка в слоях CdTe, полученных с использованием ДИПТ (∼ 4.5%), существенно ниже доли в слоях CdTe, полученных ранее с использованием ДЭТ (10−85%) [6].…”

Section: результаты и их обсуждениеunclassified

“…Курицын лять концентрацией собственных дефектов и изменять условия вхождения примеси в слои за счет использования разнообразных прекурсоров и их соотношений. В качестве источников примеси мышьяка в методе MOCVD применяют арсин и его производные [10][11][12], а в последнее время наибольшее применение находит трис-диметила-миноарсин (ТДМАА, TDMAAs, As[N(CH 3 ) 2 ] 3 ) [6,[13][14][15][16]. Это связано с его невысокой температурой распада (50% при 350 • С [17]), а также низким давлением пара, что обеспечивает лучший контроль уровня легирования.…”

Section: Introductionunclassified

See 2 more Smart Citations

Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура

Evstigneev¹,

Чилясов²,

Моисеев³

et al. 2021

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

The incorporation and activation of arsenic from tris(dimethylamino)arsine in CdTe layers grown by metalorganic chemical vapor deposition with dimethylcadmium and diisopropyltellurium on GaAs substrates are investigated. Arsenic incorporation into CdTe to depend on the crystallographic orientation of the layers and increases in the order (111)B<(100)<(310). Arsenic concentration in the CdTe layers is proportional to the tris(dimethylamino)arsine flow rate to the power of 1.4 and an increase with decrease of the diisopropyltellurium/dimethylcadmium ratio from 1.4 to 0.5. The as-grown CdTe:As layers had p-type conductivity with arsenic and hole concentrations of 1·1017–7·1018 and 2.7·1014–4.6·1015 cm–3, respectively, but the arsenic activation efficiency not exceeding 0.3%. After annealing in argon flow (250–450 ° C) the highest hole concentration and arsenic activation efficiency were 1·1017 cm–3 and ~4.5 % respectively. The ionization energy of arsenic determined from the temperature dependence of the hole concentration was in the range of 98–124 meV. Low-temperature photoluminescence spectra of the layers showed an emission peak with energy of 1.51 eV, which can be attributed to donor-acceptor recombination, where the acceptor is AsTe with ionization energy about 90 meV.

show abstract

Section: результаты и их обсуждениеunclassified

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура

Evstigneev¹,

Чилясов²,

Моисеев³

et al. 2021

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…comparable to the best wafer silicon. Accordingly there has been a resurgence of interest in single crystal CdTe devices and nonstandard doping [2][3] in an attempt to realise higher V oc performances than is achievable in polycrystalline thin films. However, for such highly mismatched systems the relative importance of misfit dislocations and of interdiffusion between the layers has not been estimated.…”

Section: Manuscriptmentioning

confidence: 99%

The effects of junction interdiffusion and misfit dislocations on the efficiency of highly mismatched heterojunction photovoltaic devices

Mendis

Treharne

Lane

et al. 2016

Applied Physics Letters

View full text Add to dashboard Cite

Use policyThe full-text may be used and/or reproduced, and given to third parties in any format or medium, without prior permission or charge, for personal research or study, educational, or not-for-prot purposes provided that:• a full bibliographic reference is made to the original source • a link is made to the metadata record in DRO • the full-text is not changed in any way The full-text must not be sold in any format or medium without the formal permission of the copyright holders.Please consult the full DRO policy for further details.

show abstract

“…The techniques used to grow CdTe films are rich, including but not limited to molecular beam epitaxy [1,2], e-beam evaporation [3], hot wall epitaxy [4], close space sublimation [5], high vacuum evaporation [6], chemical bath deposition [7], and metalorganic chemical vapor deposition [8]. Examples of single crystal substrates used are Si [2,4,9,10], Ge [1,3,5,8,11], CdTe [12,13], CdS [12,14], GaAs [8,[15][16][17][18][19][20][21], Al 2 O 3 [22], and SrTiO 3 [23].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Surface and interface of epitaxial CdTe film on CdS buffered van der Waals mica substrate

Yang

Seewald

Mohanty

et al. 2017

Applied Surface Science

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Single crystal CdTe films are desirable for optoelectronic device applications. An important strategy of creating films with high crystallinity is through epitaxial growth on a proper single crystal substrate. We report the metalorganic chemical vapor deposition of epitaxial CdTe films on the CdS/mica substrate. The epitaxial CdS film was grown on a mica surface by thermal evaporation. Due to the weak van der Waals forces, epitaxy is achieved despite the very large interface lattice mismatch between CdS and mica (~21-55%). The surface morphology of mica, CdS and CdTe were quantified by atomic force microscopy. The near surface structures, orientations and texture of CdTe and CdS films were characterized by the unique reflection highenergy electron diffraction surface pole figure technique. The interfaces of CdTe and CdS films and mica were characterized by X-ray pole figure technique and transmission electron microscopy. The out-of-plane and in-plane epitaxy of the heteroepitaxial films stack are determined to be CdTe(111)//CdS(0001)//mica(001) and [1 � 21 � ] CdTe //[1100] CdS //[010] mica , respectively. The measured photoluminescence (PL), time resolved PL, photoresponse, and Hall mobility of the CdTe/CdS/mica indicate quality films. The use of van der Waals surface to grow epitaxial CdTe/CdS films offers an alternative strategy towards infrared imaging and solar cell applications.

show abstract

Single-Crystal CdTe Homojunction Structures for Solar Cell Applications

Cited by 16 publications

References 10 publications

Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура

Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура

The effects of junction interdiffusion and misfit dislocations on the efficiency of highly mismatched heterojunction photovoltaic devices

Surface and interface of epitaxial CdTe film on CdS buffered van der Waals mica substrate

Contact Info

Product

Resources

About