Snubberless superfast high power module using MOS driven field controlled thyristors

Elektrische Antriebe 4

“…im Grenzfall vollständig entfallen zu lassen [313,316,317,322,340,661]. Dies bedeutet, das Ansteuersignal wird während des Ein-und Ausschaltvorgangs so verändert, daß keine Überlastung des Elements auftreten kann.…”

“…Dabei sind die Schaltungsparameter k1 und k2 entsprechend der gewählten Schutzbe- Wenn hart angesteuerte GTOs (IGCTs) oder Feinstruktur-GTOs eingesetzt werden, können deutliche Verbesserungen des Schaltverhaltens, damit eine Reduzierung der Verluste in den Leistungshalbleitern und in den Beschaltungen sowie auch eine Reduzierung der Ansteuerleistungen realisiert werden [313,316,317,322,340,661]. Dabei sind die Schaltungsparameter k1 und k2 entsprechend der gewählten Schutzbe- Wenn hart angesteuerte GTOs (IGCTs) oder Feinstruktur-GTOs eingesetzt werden, können deutliche Verbesserungen des Schaltverhaltens, damit eine Reduzierung der Verluste in den Leistungshalbleitern und in den Beschaltungen sowie auch eine Reduzierung der Ansteuerleistungen realisiert werden [313,316,317,322,340,661].…”

“…l1.7.b ist eine Einspeisung vom 16 2/3 Hz-Netz vorgesehen [636]. Im Zwischenkreis ist ein Saugkreis mit 33 1/3 Hz angeordnet, um die Leistungspendelungen der 16 Weitere Varianten werden ausgehend von speziellen Randbedingungen wie gekoppelten Induktivitäten und Beschaltungskreisen in [680,684,690,698) oder GTOs mit harter Ansteuerung in [661,681,703) behandelt. Im Zwischenkreis ist ein Saugkreis mit 33 1/3 Hz angeordnet, um die Leistungspendelungen der 16 Weitere Varianten werden ausgehend von speziellen Randbedingungen wie gekoppelten Induktivitäten und Beschaltungskreisen in [680,684,690,698) oder GTOs mit harter Ansteuerung in [661,681,703) behandelt.…”

Elektrische Antriebe 3

“…Diese Struktur wird in der Literatur Field Controlled Thyristor FCTh genannt [231], [296], [297], [298]. 6.3 b zurückgegangen werden und eine Mesa-Struktur nach Abb.…”