СОДЕРЖАНИЕВведение 259 1. Избыточные квазичастицы в сверхпроводниках с притяжением между электронами 265 а) Основные уравнения (265). 1) Уравнение для параметра порядка (265); 2) Кинетическое уравнение для квазичастиц (266); 3) Источники неравно-весных квазичастиц (267); 4) Кинетическое уравнение для фононов (268); 5) Кинетика квазичастиц в сверхпроводниках (269). б) Однородные состояния сверхпроводников с широким источником квазичастиц (269). 1) Эвристи-ческие модели функций распределения квазичастиц (269); 2) Модель «к = = -1, у = О, Τ = 0» (270); 3) Энергетическое распределение неравновесных квазичастиц, рожденных широким источником (272); 4) Сравнение с экспе-риментом (275); 5) Параметр порядка (275); 6) Критическая мощность (278); 7) Генерация неравновесных фононов (278); 8) Магнитные свойства неравно-весных сверхпроводников (279); 9) Вольт-амперные характеристики тун-нельных переходов (280). в) Однородные состояния сверхпроводников с уз-ким источником квазичастиц (281). 1) Концентрация квазичастиц и параметр порядка вблизи порога инжекции (281); 2) Функции распределения квази-частиц в сверхпроводнике с узким источником (284); 3) Пороговое поглоще-ние электромагнитного поля и вольт-амперные характеристики туннельных переходов при пороговом напряжении (285). г) Неустойчивости в сверхпро-водниках с избыточными квазичастицами (286). 1) Типы неустойчивостей (286); 2) Пороговая неустойчивость (286); Пороговая неустойчивость в сверх-проводниках с туннельной инжекциеи (287); 3) Когерентная неустойчи-вость (288). 3.1) Кинетический подход. Оптическая накачка (288). 3.2) Зам-кнутое уравнение для Δ (289); 4) Диффузионная неустойчивость (290). д) Неоднородные состояния в сверхпроводниках с избыточными квазичасти-цами (291). 1) Структура неоднородного состояния сверхпроводника с широ-ким источником в отсутствие диффузии квазичастиц (291); 2) Структура неоднородного состояния сверхпроводника с учетом диффузии квазичастиц (293); 3) Неоднородные состояния сверхпроводника с узким источником квазичастиц (294); 4) Нестационарное неоднородное промежуточное состоя-ние (295); 5) Стационарное неоднородное состояние в сверхпроводниках с туннельной инжекциеи (296); 6) Сравнение с экспериментом (297); 7) Струк-тура неоднородного состояния в диффузионной модели (298). 2982. Сверхпроводники с инверсным распределением квазичастиц а) Сверхпроводящее спаривание в системах с отталкиванием (298). б) Созда-ние инверсного распределения квазичастиц (299). в) Исследование устойчи-вости сверхпроводника с инверсным распределением (300). г) Электромаг-нитные свойства (301). Заключение 303 Цитированная литература 305
ВВЕДЕНИЕИсследование сверхпроводников в состоянии, далеком от равновесно-го, привлекает все больший интерес. Одна из причин -высокая чувстви-тельность параметра порядка к внешним воздействиям. Другая причи-на -богатство явлений в неравновесных сверхпроводниках, обусловлен-5*