An analytical investigation is made of the stimulated Brillouin scattering of a plane polarized intense electromagnetic wave propagating parallel to the applied magnetic field in a n-type semiconducting plasma with high dielectric constant. The general dispersion relation is obtained and solved for both, the cases of scattered electromagnetic waves (i.e. in the case of left hand and right hand circularly polarized waves) to study the threshold condition and the growth rate of the unstable Brillouin mode at a pump amplitude well above the threshold. It is found that the threshold pump amplitude is independent of applied magnetic field and is the same for both types of polarization. The growth rate of the unstable Brillouin mode has linear dependence on the magnetic field. Numerical estimations are made for n-BaTiO, irradiated with a pulsed 10.6 Fm COz laser to obtain the necessary electric field.In einem n-leitenden Halbleiterplasma mit hoher Dielektrizitatskonstante wird die stimulierte Brillouinstreuung einer intensiven linear-polarisierten elektromagnetischen Welle untersucht, die sich parallel zum angelegten Magnetfeld ausbreitet. Die allgemeine Dispersionsbeziehung wird erhalten und sowohl fur den Fall gestreuter elektromagnetischer Wellen (d. h. fur den Fall von links-und rechtszirkular polarisierter Wellen) fur die Untersuchung der Schwellbedingung als auch fur die Wachstumsrate der instabilen Brillouinmode bei einer Pumpamplitude weit oberhalb der Schwelle gelost. Es wird gefunden, da13 die Schwellenpumpamplitude unabhangig vom Magnetfeld und fur beide Polarisationstypen dieselbe ist. Die Wachstumsrate der instabilen Brillouinmode besitzt eine lineare Abhangigkeit vom Magnetfeld. Numerische Berechnungen werden fur n-BaTiO, durchgefuhrt, das mit einem gepulsten 10,6 pm-C0,-Laser bestrahlt wird, um das notwendige elektrische Feld zu erhalten.