Strain buildup in GaAs due to 100MeV Ag ion irradiation

A potential lattice damage scale in swift heavy ion irradiated InP

“…[ 31 ] The red‐shift of the LO peak indicates that the lattice is under tensile strain. [ 35 ] Then the SHI irradiation induced stress ( σ ) in InP samples can be deduced from the Raman shift as follows: where Δ ɷ is the shift of the LO peak. According to Equation , [ 36 ] the variation of the stress follows the trend of the LO peak shifting.…”

Swift heavy ion induced structural evolution in InP

“…Raman and c-RBS scattering measurements have been extensively used for IIIeV materials to quantify the spatial distribution of defects and to understand the microscopic nature of the defects created due to ion irradiation [24,25]. In (i) and (ix) of Fig.…”

“…3(a)) could not be fitted only by considering the above short range correlation of phonons due to defect/disorder in the irradiated InP. Presence of lattice strain would lead to an additional shift in the Raman peak position either in the low frequency regime or high frequency regime depending on whether it is tensile or compressive [25]. Hence, we fitted the LO phonon peak intensity I(u) with [25,29].…”

“…Here one assumes isotropic strain within the length scale [25,29]. The value of mode Gruneisen parameter g(q) for zone center (q ¼ 0) LO(G) phonon in InP is 1.24 [30] and is taken to be constant over the given range of q. x measures the effective strain in the material.…”

Development of technology of multicharged ion implantation of GaAs for submicron structures of large-scale integrated circuits

“…Високоенергетична багатозарядна імплантація є необхідним інструментом для формування структур швидкісних ВІС/НВІС на GaAs, оскільки він володіє фізичними властивостями, які дроблять його більш швидкодіючим та енергоефективним ніж кремній [11]. В літературі багато відомостей про технології формування методом іонного легування шарів n-типу в напівізолюючому арсеніді галію і, зокрема, досліджені електричні властивості шарів і транзисторних структур в залежності від вибору вихідного напівізолюючого матеріалу, дози, енергії та виду імплантованих іонів, від умов термічного відпалу [12][13][14]. Вже відомі дослідження електричних властивостей шарів p-типу, сформова-них імплантацією іонів акцепторних домішок (цинку, кадмію, магнію і берилію) в напівізолюючий арсенід галію [15,16].…”