Stress effect in sputtered metal–semiconductor junctions

Abstract

Rcsults are reported on the stress sensitive I-U characteristics of NS junctions prepared by r. f. sputtering of aluminium on n-type silicon. A stress-sensitive negative resistance effect found when the deposition is made on very high resistivity material is also reported.Es wird iiber druckempfindliche I-L7-Kennlinien von Metall-Halbleiter-Ubergangen berichtet, die durch r. f.-Zerstaubung von Aluminium auf n-Silizium hergestellt wurden. Ein druckempfindlicher negativer spezifischer Widerstand, der an Proben aus sehr hochohmigem Material festgestellt werden konnte, wird beschrieben.