Structure and electronic properties of nanoscale phases and nanofilms of metal silicides produced by ion implantation in combination with annealing

Влияние Поэтапного Постимплантационного Отжига На Состав И Структуру Поверхностных Слоев Кремния, Имплантированного Ионами Щелочных Металлов

“…При создании наноразмерных двух-и многослойных гетероструктур, обеспечивающих необходимые комбинации материалов для получения базовых элементов современной нано-, микро-и оптоэлектроники, широко используются методы молекулярной и твердофазной эпитаксии [1][2][3][4][5][6], а также метод низкоэнергетической (E 0 ≤ 5 keV) ионной имплантации в сочетании с отжигом [7][8][9][10][11][12]. Среди этих методов только метод ионной имплантации позволяет получать однородные сплошные пленки с толщиной h ≤ 40−50 ¦ .…”