Structure and properties of ZnS_xSe_1−xthin films deposited by thermal evaporation of ZnS and ZnSe powder mixtures

Resonant Raman scattering of ZnSxSe1−x solid solutions: the role of S and Se electronic states

“…Until now, a wide range of characterization studies of the ZnSSe thin films have been reported, including structural, electrical and optical properties variations in dependence of the S/Se ratio. 2,5,7,[10][11][12][13][14][15][16] Raman spectroscopy as such has been extensively used for investigating the lattice vibration dynamics in these systems. 12,14,17,18 Raman scattering is a powerful non-destructive method which can provide useful information on the structure, morphology and chemical composition of semiconductor materials, as well as on the photon-electron and electron-phonon interactions occurring in these materials.…”

Optical properties of ZnSXSe1 X nanostructures, embedded in Al2O3 porous matrix

“…Синтез наноструктур ZnS x Se 1-x проводился в вакуумных условиях (не хуже 10 -5 Па) методом термического испарения смеси порошков ZnS и ZnSe на пористые пленки оксида алюминия [20]. Состав наноструктур задавался молярным соотношением порошков в исходной смеси, которая засыпалась в тигель из нитрида бора.…”

Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS-=SUB=-x-=/SUB=-Se-=SUB=-1-x-=/SUB=-, полученных в матрице пористого оксида алюминия,

“…Элементный состав исследуемых образцов, полученных вакуумным термическим испарением смеси порошков ZnS и ZnSe на пористые матрицы АОА, практически не меняется с изменением параметров матрицы и идентичен составу тонких пленок, полученных в работе [8]. Таким образом, подложки из пористого АОА не оказывают заметного влияния на элементный состав наноструктур.…”

“…Методом вакуумного термического испарения успешно синтезированы наноструктуры ZnS x Se 1−x с использованием матрицы АОА в качестве темплата. Показано, что параметры пористой матрицы АОА (диаметр пор, расстояние между порами) не оказывают заметного влияния на элементный состав синтезированных наноструктур, который практически совпадает с элементным составом тонких пленок, полученных напылением на гладкую подложку [8]. При этом состав наноструктур близок к составу исходных порошков и может быть задан соотношением ZnS/ZnSe в исходной смеси.…”

“…Пористый анодный оксид алюминия, благодаря гексагонально-упорядоченному расположению вертикально ориентированных к поверхности пленки пор, нашел широкое применение в качестве темплатов для синтеза наноструктур различного вида: нанопроволок, наноточек, наноколец, нанотрубок и других [7]. Для получения тройных твердых растворов ZnS x Se 1−x нами предложено и успешно опробовано при получении тонких пленок [8] термическое испарение смеси порошков сульфида и селенида цинка в высоком вакууме (10 −5 Па), при этом состав получаемых материалов может быть задан составом смеси порошков ZnS и ZnSe в испаряемом материале.…”