Studi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti1-xCoxO2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD

Abstract

Abstrak. Film tipis Ti 1-x Co x O 2 telah ditumbuhkan di atas subtrat Si dengan menggunakan teknik MOCVD. Film tipis tumbuh dengan membentuk bidang kristal anatase-213 dan tunggal. Fase kristal tunggal ini terbentuk sampai pada konsentrasi Co=5,77%. Respon emisi photoluminescence film tipis memperlihatkan puncak maksimum pada energi 2,8 eV. Penambahan konsentrasi Co tidak memberikan perubahan pada energi puncak maksimum emisi. Suatu perubahan hanya terjadi pada intensitas dan lebar pola emisi. Pelebaran mengarah ke energi yang lebih rendah dari 2,8 eV, sementara intensitas bertambah dengan bertambahnya konsentrasi atom Co. Kata kunci: Photoluminescence; Film Tipis; Ti 1-x Co x O 2 ; MOCVD.Abstract. Ti 1-x Co x O 2 thin films have been deposited on Si substrate by MOCVD technique. Thin films were synthesized by a single plane orientation structure of anatase-213 at various to Co concentartions up to 5,77%. Photoluminescence emission spectra of thin films showed a maximum peak at the energy of 2.8 eV. These energies did not change when increasing Co concentration in the Ti 1-x Co x O 2 thin films up to 5.77%. The patterns of spectrum emission only differ on the intensity and broadness of spectra. Broading occurs towards the higher energy of 2.8 eV, while the intensities were increased with increasing of Co concentration.