Study of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization

Гусев, А. С.; Каргин, Н.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Sultanov, A. O.; Тимофеев, А. А.

doi:10.1134/s1027451019020083

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Выражение для деформации слоя карбида кремния можно получить введением упрощенной модели пористого слоя как массива вертикальных цилиндрических пор в сплошном материале. Подобная модель представлена в работе [16]. В описываемой структуре площадь сопряжения пленки карбида кремния и подложки определяется пористостью буферного слоя (p).…”

Section: оценка значения напряжений несоответствияunclassified

Релаксация Механических Напряжений В Эпитаксиальных Пленках Кубического Карбида Кремния На Кремниевых Подложках С Буферным Пористым Слоем

Гусев¹,

Каргин²,

Рындя³

et al. 2021

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

The results of the work quantitatively and qualitatively illuminate the processes of relaxation of misfit stresses arising during the epitaxy of cubic silicon carbide on silicon. Analysis of stress distributions of mechanical stress in 3C-SiC / Si and 3C-SiC / por-Si heterostructures is carried out. The essential role of the porous buffer layer in reducing the magnitude of misfit stresses is shown. The theoretical study data are confirmed by the experimental values of residual stresses in 3C-SiC / Si and 3C-SiC / por-Si samples.

show abstract

Section: оценка значения напряжений несоответствияunclassified