Superconducting properties of<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Sn</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">In</mml:mi></mml:mrow><mml:mi>x</mml:mi></mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">Te</mml:mi></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mo>(</mml:mo><mml:mrow><mml:mi>x</mml:mi><mml:mo>=</mml

Saghir, Mohammad; Barker, James; Hillier, A. D.; Lees, Martin R.

doi:10.1103/physrevb.90.064508

Cited by 33 publications

(46 citation statements)

References 28 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Although Sn 1−x In x Te is a candidate of TSC according to theory 32 , a recent thermal conductivity measurement proves that this compound has a full superconducting gap in the bulk 33 . Another group studied Sn 1−x In x Te (x = 0.38 ∼ 0.45) using muon-spin spectroscopy, and the results can be well described by a single-gap s-wave BCS model 34 . These results have reduced the possibility of being a TSC for Sn 1−x In x Te.…”

mentioning

confidence: 99%

Fully gapped superconductivity in In-doped topological crystalline insulatorPb0.5Sn0.5Te

Fang

et al. 2015

Phys. Rev. B

View full text Add to dashboard Cite

Superconductors derived from topological insulators and topological crystalline insulators by doping have long been considered to be candidates as topological superconductors. Pb0.5Sn0.5Te is a topological crystalline insulator with mirror symmetry protected surface states on (001), ( 011) and ( 111) oriented surfaces. The superconductor (Pb0.5Sn0.5)0.7In0.3Te is induced by In doping in Pb0.5Sn0.5Te, and is thought to be a topological superconductor. Here we report the first scanning tunneling spectroscopy measurement of the superconducting state as well as the superconducting energy gap in (Pb0.5Sn0.5)0.7In0.3Te on a (001)-oriented surface. The spectrum can be well fitted by an anisotropic s-wave gap function of ∆ = 0.72 + 0.18 cos 4θ meV using Dynes model. The results show that the quasi-particle density of states seem to be fully gapped without any in-gap states, in contradiction with the expectation of a topological superconductor.

show abstract

mentioning

confidence: 99%

Fully gapped superconductivity in In-doped topological crystalline insulatorPb0.5Sn0.5Te

Fang

et al. 2015

Phys. Rev. B

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Кристаллы Sn 1−x In x Te (x = 0.4−0.6) были выраще-ны модифицированным методом Бриджмена с исполь-зованием направленной кристаллизации расплава при медленном охлаждении в тепловом градиентном по-ле [7,30,31]. Исходные материалы Sn, In и Te чисто-той 99.999 в стехиометрическом соотношении запа-ивались в кварцевые ампулы диаметром 10 mm при давлении ∼ 10 −4 mm Hg.…”

Section: методика экспериментаunclassified

“…Форма зависимо-сти σ NS (V ), отсутствие характерного ZBCP [17,22] на проводимостях всех измеренных контактов исключают возможность d-или какой-либо другой необычной симметрии ПП в исследованных сверхпроводниках. Измерения теплоемкости, верхнего критического поля [29] и глубины проникновения магнитного поля [31] от температуры на образцах Sn 1−x In x Te показали, что эти зависимости можно описать в рамках стандартной электрон-фононной теории сверхпроводимости с s-симметрией ПП. Спектры АО сверхпроводников с ПП s-типа хорошо описываются модифицированной теорией Blonder, Tinkham, Klapwijk, учитывающей конечное время жизни квазичастиц (БТК-Г) [25].…”

Section: результаты и обсуждениеunclassified

“…Теоретические и экспериментальные исследования ха-рактеристик нормального и сверхпроводящего состо-яний Sn 1−x In x Te в широком диапазоне концентраций In [5][6][7][8][29][30][31][32] показали, что In в этом соединении не может рассматриваться как простая легирующая добавка с валентностью +1 или +3, замещающая Sn, а образует вместе с Те отдельную частично заполнен-ную примесную зону с центром на уровне Ферми и сильным спаривающим взаимодействием [29], которая, по-видимому, и определяет характеристики сверхпро-водника. Несмотря на множество исследований сверх-проводящего состояния Sn 1−x In x Te, к настоящему вре-мени надежно установлена только связь между концен-трацией In, T c и критическим магнитным полем.…”

Section: Introductionunclassified

“…Несмотря на множество исследований сверх-проводящего состояния Sn 1−x In x Te, к настоящему вре-мени надежно установлена только связь между концен-трацией In, T c и критическим магнитным полем. Оценки ПП сверхпроводящего состояния, сделанные по изуче-нию теплопроводности и µSR-спектроскопии кристаллов с x = 0.4 [30] и x = 0.38−0.45 [31], показали отсутствие узлов и сильное электрон-фононное взаимодействие (2 /kT c ≈ 4, -энергетическая щель сверхпроводни-ка, k -постоянная Больцмана). В проведенных экс-периментах двухзонная сверхпроводимость Sn 1−x In x Te не наблюдалась.…”

Section: Introductionunclassified

See 2 more Smart Citations

Двухзонная сверхпроводимость кристаллов Sn-=SUB=-1-x-=/SUB=-In-=SUB=-x-=/SUB=-Te с T-=SUB=-c-=/SUB=-=3.6-3.8 K

Gorina¹,

Golubkov²,

Осина³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы спектры андреевского отражения высококачественных сверхпроводящих кристаллов Sn1-xInxTe с критической температурой Tc=3.6-3.8 K. Доказана двухзонная природа сверхпроводящего состояния данного соединения. Измеренные энергетические щели имеют s-симметрию и равны: 2Delta1/kTc=3.5±0.9 и 2Delta2/kTc=7±1. Ни на одном из контактов с сопротивлением (1.5-23) Omega не наблюдался характерный для топологического сверхпроводящего состояния пик при нулевом напряжении. Работа выполнена в рамках государственного задания N 0023-2014-0188 по теме 20. 22 22 22 4 "Оптические, транспортные, магнитные и структурные свойства наноструктур на основе полупроводниковых, магнитных и сверхпроводниковых материалов". DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44956.409

show abstract

Dirac and Weyl Semimetals in Sn_1−xIn_xTe

Schmidt

Srivastava

2020

Physica Rapid Research Ltrs

View full text Add to dashboard Cite

The recent realization of Weyl fermions in materials [1-10] has received a great deal of attention due to their connection with particle physics, in addition to the promise for technological applications. [11-13] These fermions belong to the topological semimetal class of materials, with accidental degeneracy states around the Fermi level that are protected by topology and symmetry. The protected Weyl fermions present a nonvanishing Chern number around each chiral node. The degenerated chiral points are located in the bulk band structure, connected with surface Fermi arcs. [3-9] There are some conditions to realize Weyl semimetal (WSM) in an inverted bandgap 3D material: the valence and conduction bands must touch each other at the some point of the bulk Brillouin zone (BZ), and a lack of either time reversal or inversion symmetry must occur. With that, the crossing point is symmetry-preserved and pairs of Weyl nodes with opposite chirality are realized. If time reversal and inversion symmetry are preserved in an inverted gap system, the Weyl nodes annihilate, resulting in a Dirac semimetal (DSM) phase. [14-21] In this case the net Chern number is zero; the Dirac crossing is fourfold degenerated and it is not topologically protected, [10] but crystal symmetry can protect the degeneracies if the semimetal character comes from a topological insulator bulk gap closure. Recently, it has been predicted that distinct semimetal topological phases can be obtained by defect engineering with impurities [22] in topological crystalline insulator (TCI) materials. This novel topological class has attracted attention lately [23-29] because their topological sates are protected by crystal symmetry, distinct from Z 2 topological insulators that are protected by time reversal symmetry. Pressure also has been shown to induce topological semimetal phase in TCIs. [30]

show abstract

Superconducting properties ofSn1−xInxTe(x=

Cited by 33 publications

References 28 publications

Fully gapped superconductivity in In-doped topological crystalline insulatorPb0.5Sn0.5Te

Fully gapped superconductivity in In-doped topological crystalline insulatorPb0.5Sn0.5Te

Двухзонная сверхпроводимость кристаллов Sn-=SUB=-1-x-=/SUB=-In-=SUB=-x-=/SUB=-Te с T-=SUB=-c-=/SUB=-=3.6-3.8 K

Dirac and Weyl Semimetals in Sn_1−xIn_xTe

Contact Info

Product

Resources

About

Superconducting properties ofSn1−xInxTe(x=

Cited by 33 publications

References 28 publications

Fully gapped superconductivity in In-doped topological crystalline insulatorPb0.5Sn0.5Te

Fully gapped superconductivity in In-doped topological crystalline insulatorPb0.5Sn0.5Te

Двухзонная сверхпроводимость кристаллов Sn-=SUB=-1-x-=/SUB=-In-=SUB=-x-=/SUB=-Te с T-=SUB=-c-=/SUB=-=3.6-3.8 K

Dirac and Weyl Semimetals in Sn1−xInxTe

Contact Info

Product

Resources

About

Dirac and Weyl Semimetals in Sn_1−xIn_xTe