Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V

Ismail, Abu Bakar Md.; Palau, J.M.; Lassabatere, L.

doi:10.1051/jphys:0198400450100171700

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“…0394~ pouvant même devenir très peu différent de 0. Ces variations de 0394~ que l'on corrèle aisément à la qualité cristallographique locale de la surface, montrent que dans les zones parfaitement clivées, il n'y a pas d'états dans le gap, alors que dans les zones mal Plaçons-nous dans le cas d'états de surface accepteurs sur un semiconducteur de type n ou donneurs sur un semiconducteur de type p. Si la densité des états est suffisante, la barrière de surface prend une valeur telle que le niveau de Fermi vient se placer en surface au niveau de l'état [23]. La neutralité du semiconducteur impliquant que la densité de charge en surface Qss et la densité de volume Qsc soient égales, on a donc dans le cas d'accepteurs de densité Na et de position énergétique EA :…”

Section: Surface Libreunclassified

Formation et propriétés de l'interface métal-semiconducteur et de la barrière de Schottky

Lassabatere¹

1987

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Laboratoire d'études des surfaces, interfaces et composants 2014 unité associée CNRS 04-0787, Université des Sciences et des Techniques du Languedoc, place Eugène-Bataillon, 34060 Montpellier, France (Reçu le 2 février 1987, révisé le 1er avril 1987, accepté le 30 juin 1987) Résumé. 2014 Après un rappel succinct de l'histoire du contact destiné à mettre en évidence la façon dont s'est effectuée la prise de conscience sur le rôle des différents paramètres et la démarche de recherche qui en a résulté, on s'attache tout d'abord, à l'aide de quelques exemples, à illustrer la méthodologie actuelle basée sur un suivi pas à pas de la formation du contact. On présente donc succinctement des méthodes d'études de propriétés de surfaces, des toutes premières phases de l'interaction, de la formation de la diode, ainsi que quelques résultats significatifs. On s'attache ensuite à l'analyse des résultats et expose les différents modèles, anciens comme tout récents, utilisés pour les expliquer. On conclut qu'aucun modèle à l'heure actuelle ne permet une synthèse correcte de l'ensemble des résultats, ce qui implique un effort de recherche accru. Abstract. 2014 In this paper we review fondamental points in the formation of Metal Semiconductor contact. After a brief historical view in order to emphasize the role of physical and chemical parameters we describe typical results conceming the formation, stage by stage, of the III-V metal contacts. We compare the surface Fermi level pinning induced by cleavage defects, oxygen adsorption, metal submonolayer deposition and the pinning in the diodes. Then we briefly present and discuss the results and the models which are used to explain them. We conclude that, at this time, there is no synthetical model able to explain all the experimental results.

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