Synthesis, magnetic properties and spin-wave propagation in thin Y₃Fe₅O₁₂films sputtered on GaN-based substrates

Magnetic properties, spin waves and interaction between spin excitations and 2D electrons in interface layer in Y3Fe5O12/AlO x /GaAs-heterostructures

“…The detailed analysis of the evaluation of the spin-wave damping parameter in inhomogeneous YIG films is presented in Ref. 9 .…”

“…Construction of spin-wave devices on the basis of YIG films directly deposited on semiconductors is the next stage in the development of spin-wave devices. The recent progress in synthesis of nanometer YIG films of high quality on semiconductor substrates 8,9 and low relaxation of long-wavelength spin waves in nanometer magnetic films 10,11 give a possibility to construct spin-wave devices on semiconductor chips operating in the microwave frequency band.…”

Магнитоупругие Волны В Субмикронных Пленках ЖИГ, Полученных Ионно-Лучевым Распылением На Подложках Гадолиний-Галлиевого Граната

“…46178.2448 Перспективы интеграции устройств магноники [1,2] с полупроводниковыми электронными компонентами, а также создания монолитных композитных мультифер-роидных структур для устройств стрейнтроники [3,4] стимулируют разработку нежидкофазных технологий получения пленок железоиттриевого граната (ЖИГ). На сегодняшний день наиболее широко используются методы импульсного лазерного напыления [5][6][7], ВЧ магнетронного распыления [8,9] и ионно-лучевого ис-парения [10][11][12]. Сообщалось также о получении пле-нок ЖИГ с использованием золь-гель технологий [13], молекулярно-лучевой эпитаксии [14] и осаждения из газовой фазы [15].…”

“…Сообщалось также о получении пле-нок ЖИГ с использованием золь-гель технологий [13], молекулярно-лучевой эпитаксии [14] и осаждения из газовой фазы [15]. Достигнутый за последние годы про-гресс в развитии таких технологий позволяет получать пленки ЖИГ нанометровых (5−100 nm) и субмикрон-ных (100−1000 nm) толщин на подложках гадолиний-галлиевого граната (ГГГ) [5][6][7][8][9][10], Si [10,11], GaN [12]. При этом в таких пленках удается наблюдать рас-пространение субмикронных [7,10] и нанометровых [5] спиновых волн, которые демонстрируют эффекты невза-имности [16], параметрической неустойчивости [17] и позволяют осуществлять эффективный спиновый транс-порт [6][7][8]15].…”

Релаксационные Потери Магнитных Возбуждений В Наноразмерных Пленках Железо-Иттриевого Граната

“…Ожидается, что их интеграция с транзисторными структурами на одном полупроводниковом чипе приведет к миниатюризации СВЧ-устройств, увеличению полосы пропускания, повышению селективности и скорости информационного обмена [1]. Успешное выращивание пленок железо-иттриевого граната (Y 3 Fe 5 O 12 , YIG), имеющих низкие потери распространения спиновых волн, на подложках Si и GaN показало реализуемость интеграции спин-волновых приборов в полупроводниковой интегральной схеме [2,3]. Малое затухание спиновых волн позволяет построить полосно-пропускающие фильтры, линии задержки, шумоподавители.…”