System-on-chip: Specifics of radiation behavior and estimation of radiation hardness

Kalashnikov, O. A.; Nekrasov, Pavel V.; Nikiforov, Alexander Y.; Telets, V. A.; Chukov, G. V.; Elesin, V. V.

doi:10.1134/s1063739716010066

Cited by 23 publications

(3 citation statements)

References 11 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The measured performance of the presented amplifier is summarized in Table 2 along with its counterpart from TriQuint Semiconductor. The investigation of transient radiation effects in the proposed amplifier has been performed in SPELS and MEPhI test center [10][11][12] at the dose rate (P) value from 6•10 6 a.u./s to 4,9•10 9 a.u./s. The amplifier gain at the frequency of 1.5 GHz has been controlled during irradiation.…”

Section: Amplifier Performancesmentioning

confidence: 99%

The design and testing issues of radiation tolerant microwave amplifiers implemented in the domestic GaAs pHEMT 0.5 μm process

et al. 2019

View full text Add to dashboard Cite

The investigation results of the possibility of manufacturing radiation tolerant microwave amplifiers implementing in domestic GaAs D-mode pHEMT 0.5 μm process are presented in this work. The amplifier with an operating frequency range from 0.1 GHz to 3.5 GHz, gain above 15 dB, noise figure below 2.2 dB, output linearity above 17 dBm is designed, produced and measured. The characteristic property of the amplifier is a single positive supply voltage and extended frequency range up to 100 MHz provided by the external capacitor circuit. Transient radiation effects in the amplifier are investigated up to the dose rate value of 4.9·109 a.u./s. The recovery time does not exceed 4 μs according to the experimental results.

show abstract

Section: Amplifier Performancesmentioning

confidence: 99%

The design and testing issues of radiation tolerant microwave amplifiers implemented in the domestic GaAs pHEMT 0.5 μm process

et al. 2019

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Показатели радиационной стойкости функциональных блоков. Оценка показателей радиационной стойкости функциональных блоков РЧУ и ГУН к дозовому воздействию ИИ проводилась по результатам испытаний с использованием установки «Гамма-Панорама МИФИ» [14] по методикам, представленным в работе [15]. Установлено, что стойкость функциональных блоков к дозовому воздействию составляет не менее 3·10 5 ед.…”

Section: рис2 структурная схема рч приемо-передающей бис (а) и завиunclassified

Capabilities of the Domestic 180-nm CMOS SOI Technology to Design Radio Frequency Transceiver ICsfor Space Applications

Usachev¹,

Elesin²,

Nazarova³

et al. 2017

PofUE

View full text Add to dashboard Cite

1 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия 2 АО «ЭНПО Специализированные электронные системы», г. Москва, Россия 3 АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», г. Москва, Россия 4 Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия nausach@spels.ruТехнология КМОП КНИ перспективна для создания широкой номенклатуры радиочастотных аналого-цифровых приемо-передающих БИС, в том числе для производства аппаратуры космического назначения.Представлены результаты проектирования и исследований радиочастотных элементов библиотеки и набора функциональных блоков для отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм. Библиотека элементов включает радиочастотные n-канальные МОП-транзисторы с частотой единичного усиления не менее 30 ГГц, МОП-варикапы, катушки индуктивности, конденсаторы, резисторы. Набор радиочастотных функциональных блоков включает усилители, генераторы, смесители, переключатели сигналов, делители частоты с рабочими частотами от 0,1 до 4 ГГц. Стойкость функциональных блоков к дозовому воздействию ионизирующего излучения составляет не менее 3·10 5 ед., тиристорный эффект и катастрофические отказы отсутствуют при воздействии тяжелых заряженных частиц с линейными потерями энергии до 80 МэВ·см 2 /мг. Результаты исследований подтверждают возможность создания приемо-передающих БИС космического применения с рабочими частотами до 3 ГГц по отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм. Ключевые слова: КМОП КНИ; радиочастота; характеризация; функциональный блок; приемопередатчик; радиационная стойкость; БИС. Для цитирования: Исследования возможностей отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм для создания радиочастотных приемо-передающих БИС космического назначения / Н.А. Усачев, В.В. Елесин, Г.Н. Назарова и др. // Изв. Kashirskoye sh., 31), head of the expert-analytical group, JSC «ENPO Specialized Electronic Systems» (Russia, 115409, Moscow, Kashirskoye sh., 31).

show abstract

“…2016年, 欧洲宇航局 Mascio等人 [20,21] 继续提出由于目前没有标准的SoC辐射效应测试方法, 开展SoC单粒子效应测试方法研究具有重要意义. Kalashnikov等人 [22] 给出了一套用于不同级别SoC抗辐射加固的基本参数标准, 提出了可操作性强的SoC辐射测试方法和技术设计. Azimi等人 [23] 针对车用SoC开发了一种新的故障注入系统来研究位翻转的影响, 允许测试系统的所有资源, 如存储器、寄存器、互连信号和混合信号模块.…”

unclassified

Radiation effects and radiation hardening technology of new microsystems

HE,

CHEN,

HAN

et al. 2024

Sci. Sin.-Phys. Mech. Astron.

View full text Add to dashboard Cite

System-on-chip: Specifics of radiation behavior and estimation of radiation hardness

Cited by 23 publications

References 11 publications

The design and testing issues of radiation tolerant microwave amplifiers implemented in the domestic GaAs pHEMT 0.5 μm process

The design and testing issues of radiation tolerant microwave amplifiers implemented in the domestic GaAs pHEMT 0.5 μm process

Capabilities of the Domestic 180-nm CMOS SOI Technology to Design Radio Frequency Transceiver ICsfor Space Applications

Radiation effects and radiation hardening technology of new microsystems

Contact Info

Product

Resources

About