Systematics of laser operation in GaAs/AlGaAs multiquantum well heterostructures

Zielinski, E.; Schweizer, H.; Hausser, S.; Stuber, R.; Pilkuhn, M. H.; Weimann, G.

doi:10.1109/jqe.1987.1073463

Cited by 61 publications

(4 citation statements)

References 25 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…який при E > E F перетворюється в δ-функцiю. Результуючий спектр ОП g(E) розраховувався шляхом згортки нерозширеного спектра пiдсилення g (E) з лоренцiаном D(E, E ) [18,19]:…”

Section: оптичне пIдсилення у квантових надґратках Gaas/al X Ga 1−x Asunclassified

Люмінесцентні Властивості Приповерхневих Напівпровідникових Шарів Та Квантових Надґраток

Литовченко¹,

Корбутяк²

2022

Ukr. J. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання електронно-діркової плазми в НҐ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів.

show abstract

Section: оптичне пIдсилення у квантових надґратках Gaas/al X Ga 1−x Asunclassified

Люмінесцентні Властивості Приповерхневих Напівпровідникових Шарів Та Квантових Надґраток

Литовченко¹,

Корбутяк²

2022

Ukr. J. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The optical gain for a material is achievable over a narrow band of photon's energy. Gain calculation of quantum well is more complicated than the gain calculation of bulk material due to many quantized energy levels between which transitions can occur [12]. Among the all possible transitions between the conduction(C) sub-band and valence (V) sub-band, some transition are allowed and some are forbidden [5] according to the calculation of the transition occurrence probability.…”

Section: B Optical Gain Calculationmentioning

confidence: 99%

A generalized model using genetic algorithm for optimization of material gain of the active layer of a MQW Edge emitting laser with unequal well width

Polash

Kayes

2014

2013 International Conference on Electrical Information and Communication Technology (EICT)

View full text Add to dashboard Cite

In this work, a computational model for optimization of material gain of the active region of a multiple quantum well (MQW) edge emitting laser (EEL) using genetic algorithm has been developed. Through this optimization procedure, the values of the width of quantum wells (QW), width of barriers, lattice temperature, injection carrier density and number of QWs which are related to material gain of the active region are optimized for optimizing the design of a MQW EEL. For the above mentioned optimization the numerical simulation of the optical gain expression of MQW EEL along with the solution of the Schrodinger's equation has been performed using MATLAB. The developed optimization based design technique has been applied for the design of (i) a 1550nm In 0.72 Ga 0.28 As 0.82 P 0.18 / In 0.42 Ga 0.58 As 0.82 P 0.18 MQW EEL having 3 QWs and also (ii) for a 1550nm In 0.72 Ga 0.28 As 0.82 P 0.18 / In 0.42 Ga 0.58 As 0.82 P 0.18 MQW EEL having 5 QWs for testing the validity. The computation indicates clearly that the optimization based computational model works well and can be easily used for the design of MQW EELs.

show abstract

“…The study of optical conductivity in low-dimensional electron system has been considered as a special study by both theoretical and experimental condensed matter physicists in recent years. Numerous studies of two dimensional electron-gas systems have been undertaken [1][2][3]. Unfortunately, the study of this phenomena in 1D electron gas is still limited.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Optically Detected Electrophonon Resonance Effect in Quantum Wires

Phong¹,

Đình²,

Hòa³

2010

CMST

View full text Add to dashboard Cite

Electrophonon resonance (EPR) effects are investigated in cylindrical quantum wires (CQWR) in the presence of a laser field using a projection technique. We obtain the analytical expressions and graphs of absorption power. From graphs of the absorption power we obtain line-widths as a profile of the curves. The dependence of line-widths on different factors is considered. The conditions for EPR and optically detected electrophonon resonance (ODEPR) are also discussed.

show abstract

Systematics of laser operation in GaAs/AlGaAs multiquantum well heterostructures

Cited by 61 publications

References 25 publications

Люмінесцентні Властивості Приповерхневих Напівпровідникових Шарів Та Квантових Надґраток

Люмінесцентні Властивості Приповерхневих Напівпровідникових Шарів Та Квантових Надґраток

A generalized model using genetic algorithm for optimization of material gain of the active layer of a MQW Edge emitting laser with unequal well width

Optically Detected Electrophonon Resonance Effect in Quantum Wires

Contact Info

Product

Resources

About