The electrical conductivity in a 4 x 1012 130 keV phosphorus implanted layer is studied, after annealing, in the tsmpsrature range 4.2 K to 6 mK. The annzaling (at 600 "C) is such that most of the phosphorus ions become electrically active and are only partially compensated by the remaining defects. The analysis of o versus T indicates that three different regimes of conductivity are operating, depending on the temperature range. Between 4.2 K and = 100 mK the results find a reasonable interpretation in terms of three-dimensional variable range hopping (VRH), which follows Mott's law: 0exp (T-114). When 5" decreases, betwpen N 100 and N 50 mK the hopping range becomes larger than the thickness of the implanted layer and a twodimensional VRH regime, in which Gexp (T-113), takes place. At low temperature, below 50 mK, 0 varies as exp (T-112); a tentative explanation of this behaviour is proposed, in terms of correlation effects.Die elektrische Leitfahigkeit in einer mit 4 x 1014 cm-z 130 keV-Phosphor implantierten Schicht wird nach Temperung im Temperaturbereich 4,2 K bis 6 mK untersucht. Die Temperung (bei 600 "C) wird so durchgefiihrt, dal3 die moisten der Phosphorionen elektrisch aktiv werden und nur teilweise von den zuriickbleibenden Defekten kompensiert werden. Die Analyse der o-T-Kurven zeigt, dal3 drei unterschiedliche Bereiche der Leitfahigkeit in Abhangigkeit vom Temperaturbereich wirksam sind. Zwischeri 4,2 K und N 100 mK finden die Ergebnisse eine vernunftige Interpretation mit dreidimensionalem Hopping mit variabler Reichweite (VRH), das dem Nottschen Gesetz oexp (T-114) folgt. Wenn T abnimmt, wird zwischen = 100 und = 50 mK der Hoppingbereich grol3er als die Dicke der implantierten Schicht und wird zu einem zweidimensionalen VRH-Bereich, in dem oexp (T-113) gilt. Bei tiefen Temperaturen, unterhalb = 50 mK, variiert G wie exp (T-112); eine vorlaufige Erklarung dieses Verhaltens mit Korrelationseinfliissen wird vorgeschlagen.