2019
DOI: 10.1016/j.jmmm.2019.01.092
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer

Abstract: We investigate the nature of transport and ferromagnetic properties of the epitaxial GaAs structure with the Mn δdoped layer. To modify the properties of the structure electrically active radiation defects are created by irradiation with 50 keV helium ions and a fluence in the range of 1 × 10 11 -1 × 10 13 cm -2 . The investigations show that transport properties of the structure are determined by two parallel conduction channels (the channel associated with hole transport in a valence band and the channel ass… Show more

Help me understand this report
View preprint versions

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
2

Citation Types

0
11
0
4

Year Published

2019
2019
2024
2024

Publication Types

Select...
7

Relationship

1
6

Authors

Journals

citations
Cited by 11 publications
(15 citation statements)
references
References 35 publications
0
11
0
4
Order By: Relevance
“…This is particularly appealing since it can be used in applications involving light control of the FM order. This system becomes even richer when the FM layer is placed close to a quantum well, allowing relatively high Curie temperature 2 and hole mobility 6,7 . In addition, these heterostructures exhibit strong interaction between carrier spins within the quantum well and the Mn atoms, that allows data storage, as demonstrated in InGaAs/GaAs quantum wells (QWs) adjacent to a Mn delta-doped layer 8 .…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…This is particularly appealing since it can be used in applications involving light control of the FM order. This system becomes even richer when the FM layer is placed close to a quantum well, allowing relatively high Curie temperature 2 and hole mobility 6,7 . In addition, these heterostructures exhibit strong interaction between carrier spins within the quantum well and the Mn atoms, that allows data storage, as demonstrated in InGaAs/GaAs quantum wells (QWs) adjacent to a Mn delta-doped layer 8 .…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Следует отметить, что при таких высоких концентрациях марганца в слоях (Ga, Mn)As, используемых в диодных структурах, формируется примесная зона. Проводимость в p-области осуществляется за счет дырок валентной и примесной зон [15]. Само значение концентрации (∼ 1 · 10 19 cm −3 при 300 K и ∼ 1 · 10 18 cm −3 при 77 K) представляет собой эффективную концентрацию дырок по двум каналам проводимости (дырки валентной зоны и дырки примесной зоны).…”
Section: экспериментальные результаты и их обсуждениеunclassified
“…Результаты измерения концентрации представлены в таблице. Считая, что концентрация носителей в образцах, подвергнутых имплантации, относится только к нелегированной квантовой яме, по формулам, представленным в работах [7,8], можно вычислить значения концентрации и для квантовой ямы InGaAs : Cr. Все структуры характеризуются электронной проводимостью с концентрацией носителей вблизи 10 17 −10 18 см −3 .…”
Section: результаты и обсуждениеunclassified
“…Сопоставление временных зависимостей интенсивности фотолюминесценции для легированных и нелегированных квантовых ям показало возможность существенного повышения рекомбинационного времени жизни за счет изменения встроенного электрического поля в квантовых ямах в результате легирования хромом и соответствующего изгиба зон, создаваемого закреплением уровня Ферми на поверхностных состояниях. [7,8]. С этой целью часть образцов подвергалась ионной бомбардировке атомами азота с энергией 25 кэВ и дозой 10 10 см −2 .…”
Section: Introductionunclassified
See 1 more Smart Citation