The X-ray response of TlBr

Owens, A.; Bavdaz, Marcos; Brammertz, Guy; Gostilo, V.; Graafsma, H.; Kozorezov, A. G.; Krumrey, Michael; Lisjutin, I.; Peacock, A.; Puig, Albert; Sipilä, Heikki; Zatoloka, S.

doi:10.1016/s0168-9002(02)01805-3

Cited by 30 publications

(26 citation statements)

References 11 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Detector size Area, thickness ∆E @ 5.9 keV , 800 µm 800 @ -30 o C 1800 @ RT 2300 3300 Owens et al, (2003b) …”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

“…Therefore, there has been little incentive to develop PbI 2 for gamma-ray applications over say HgI 2 , or even lower Z compounds such as CdZnTe or GaAs. Better results have been obtained with TlBr, with FWHM room temperature energy resolutions of 1.8 keV at 5.9 keV and 3.3 keV at 59.5 keV recorded for detectors of dimensions 2.8 × 2.8 × 0.8 mm 3 (Owens et al, 2003b). These resolutions were found to improve with decreasing temperature exhibiting a minimum near -30 o C. At this temperature the FWHM energy resolutions were 800 eV at 5.9 keV and 2.3 keV at 1The "H" numbers describe the stacking sequence of tetrahedrally bonded SiC bi-layers.…”

Section: Present Detection Systemsmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Semiconductor materials and radiation detection

Owens

2006

J Synchrotron Radiat

Self Cite

129

View full text Add to dashboard Cite

While Si and Ge have become detection standards for X-and gamma-ray spectroscopy in the laboratory, their use for an increasing range of applications is becoming marginalized by one or more of their physical limitations; namely the need for ancillary cooling systems or bulky cryogenics, their modest stopping powers and radiation intolerance. Wide band gap compounds offer the ability to operate in a range of chemical, thermal and radiation environments, whilst still maintaining sub-keV spectral resolution at X-ray wavelengths. In addition, these materials encompass such a wide range of physical properties that it is technically feasible to engineer materials to specific applications. However, while compound materials are used routinely in the optical and infrared wavebands, their development at hard X-and gamma-ray wavelengths has been plagued by material and fabrication problems. In this paper we present an overview of suitable materials and review the current progress in producing X-and gamma-ray radiation detectors.

show abstract

“…Detector size Area, thickness ∆E @ 5.9 keV , 800 µm 800 @ -30 o C 1800 @ RT 2300 3300 Owens et al, (2003b) …”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

Section: Present Detection Systemsmentioning

confidence: 99%

Semiconductor materials and radiation detection

Owens

2006

J Synchrotron Radiat

Self Cite

129

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The development of these devices requires good quality substrates [1]. The common denominator for the room temperature semiconductors, is the difficulty of growing highly crystallographic perfect crystals having high chemical purity and exact stoichiometry [2].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…The low melting point (480ºC) and unique solid phase of TlBr are advantageous for melt purification and crystal growth [5]. TlBr crystals are relatively soft with a knoop hardness number of 12 [1,6]. This is important from the viewpoint of device processing, because a soft semiconductor requires more carefull handling techniques.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Purification and crystal growth of TlBr for application as a radiation detector

Oliveira¹,

Chubaci²,

Armelin

et al. 2004

Cryst. Res. Technol.

View full text Add to dashboard Cite

Thallium bromide is a semiconductor compound with high atomic number and density. It has a CsCl-type simple cubic crystal structure and it is non-hygroscopics. The TlBr crystals are relatively soft with a knoop hardness number of 12. In this work, the TlBr commercial powder was purified by zone refining and the purest material section was used for crystal growth by Bridgman method. Efforts have been concentrated on the purification of the TlBr. The purification efficiency has been evaluated (NAA and ICP-MS) by impurities reduction results after zone refining passes. The crystalline quality was evaluated by X-ray diffraction. The characterized TlBr crystal as a detector has shown good response to gamma radiation.

show abstract

“…Tendo em vista estas propriedades atrativas, o TlBr tem sido investigado como um material detector de raios X e raios γ e bons resultados têm sido obtidos como sensores [25][26][27][28][29].…”

Section: Figura 24: Esquema Do Dispositivo Detector De Raios X [3]unclassified

Fabricação e caracterização de filmes finos de brometo de tálio (TIBr)

Destefano¹

View full text Add to dashboard Cite

AgradecimentosPrimeiramente a Deus, pelas bênçãos em minha vida.À minha família, em especial aos meus pais e à minha irmã Paty, pelo amor, carinho e incentivo incondicionais. Vocês são a base da minha vida.À minha segunda família, Aninha, Line, Pá e Lucy, por todas as nossas terapias em grupo e infinitas risadas que tornam nossa convivência maravilhosa. ResumoPor ser um semicondutor de elevado número atômico, elevada densidade de massa e largo gap de energia, o brometo de tálio (TlBr) é um material promissor para a detecção da radiação ionizante à temperatura ambiente. Entretanto, existem poucos trabalhos relacionados ao estudo deste material sob forma de filme fino policristalino para produção em grandes áreas (∼ 40 x 40 cm 2 ) como desejado para aplicações médicas. Neste trabalho, as técnicas de spray pyrolysis e evaporação térmica foram avaliadas como métodos alternativos para a deposição de filmes de TlBr policristalinos. Ambas as técnicas apresentam relativo baixo custo e podem ser expandidas para grandes áreas. O objetivo deste trabalho é o estudo da influência das principais condições de crescimento dos filmes de TlBr nas suas propriedades estruturais, ópticas e elétricas finais.Para os filmes produzidos por spray pyrolysis água mili-Q foi utilizada como solvente. A solução (0,10 g de TlBr dissolvidos em 100 g de água) foi agitada à temperatura de 70°C. Cada deposição foi realizada mantendo os substratos (1cm 2 ) à temperatura de 100ºC, com um fluxo de nitrogênio (N 2 ) de 8 l/min e um fluxo de solução de aproximadamente 1/90 (ml/s). A distância bico de spray-substrato utilizada foi de 19 cm.Os filmes de TlBr evaporados foram crescidos pela evaporação térmica resistiva do material a partir de um cadinho de tungstênio. A temperatura do substrato foi avaliada desde a temperatura ambiente até 200°C. A separação substrato-superfície de evaporação, h, e o número de deposições por filme, n, também foram variados no intervalo de 3 a 9 cm e 1 a 4, respectivamente.A estrutura dos filmes foi investigada por Difração de Raios X (DRX), a morfologia por Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e a composição através da Espectroscopia de Dispersão de Energia (EDS). Experimentos ópticos de transmitância em função do comprimento de onda foram realizados para estimar o gap óptico dos filmes. As resistividades foram medidas a partir de experimentos de corrente elétrica em função da diferença de potencial aplicada. A corrente de escuro foi comparada à corrente sob iluminação com uma lâmpada fluorescente (20 watts). Por fim, algumas amostras selecionadas foram expostas aos raios X na faixa de diagnóstico mamográfico.As melhores propriedades foram obtidas para os filmes crescidos por evaporação térmica resistiva. Essa técnica permitiu a obtenção de filmes com espessura de até aproximadamente 28 µm a partir de uma única deposição de 12 minutos. Entretanto, como a pressão de vapor do bromo é significativamente menor que a do tálio, observou-se uma perda de 10% de bromo na composição dos filmes evaporados. O menor número de tr...

show abstract

The X-ray response of TlBr

Cited by 30 publications

References 11 publications

Semiconductor materials and radiation detection

Semiconductor materials and radiation detection

Purification and crystal growth of TlBr for application as a radiation detector

Fabricação e caracterização de filmes finos de brometo de tálio (TIBr)

Contact Info

Product

Resources

About