Theorie der PCD-Methode f�r Licht geringer Eindringtiefe

Abstract

Ubersicht : Die Theorie der PCD-Methode wird erweitert auf den Fall, dab das Licht in der Halbleiterprobe vollstgndig absorbiert wird. Das transiente Verhalten der Photoleitf~higkeit wird sowohl ftir rechteckfSrmige Lichtpulse heliebiger Pulsdauer als auch fflr ~-f6rmige Lichtpulse analysiert. Ausffihrlich diskutiert wird das Abklingen tier Photoleitfiihigkeit. Besondere Beachtung wird der Auswirkung der OberflAchenrekombination auf die effektive Lebensdauer tier ~berschui3tri~ger und die Abklingrate der ~berschu~trAger unmittelbar nach dem Ende des Lichtpulses geschenkt. Theory of the PCD-Method for Light of Low Penetration DepthContents: The theory of the PCD-method is extended to conditions, where the light is fully absorbed in the semiconductor sample. The transient behaviour of photoconductivity is analysed for rectangular light pulses of arbitrary pulse length as well as for ~-pulses. The decay of photoconductivity is extensively discussed. Most emphasis is given to the influence of surface recombination on the effective lifetime of excess carriers and on the decay rate of the excess carriers immediately after the end of the light puls.