Thermal expansion of CuIn5S8 single crystals and the temperature dependence of their band gap

Температурная Зависимость Ширины Запрещенной Зоны, Обусловленная Колебаниями Решетки И Тепловым Уширением Энергетических Уровней

“…Изменение ширины запрещенной зоны с температурой, учитывающее только взаимодействие электронов с колебаниями решетки, недостаточно для объяснения экспериментальных результатов [18][19][20]. Поэтому необходимо учитывать термическое уширение плотности состояний, которое зависит от критической концентрации N k [22,23,25].…”

“…В работах [18][19][20] представлена температурная зависимость ширины запрещенной зоны E g (T) для новых полупроводниковых материалов (см. рис.…”

“…Значение Θ связано с температурой Дебая (Θ D ) для тройных соединений выражением Θ = (3/4)Θ D . В расчетах мы использовали следующие величины: γ = 3.70×10 −4 , E g (0) = 1.441 эВ, Θ D = 249 K. Для описания зависимости E g (Т) воспользуемся также соотношением Кейса [18] и CuIn 5 S 8 [19]. Для каждого соединения приведены по три кривых: сплошные кривые − эксперименты, полученные в работах [18,19]; штрих-пунктирные кривые, полученные по соотношению Кейса; штриховые кривые, полученные по соотношению Кейса с учетом теплового уширения.…”

“…В работах [18][19][20] экспериментально исследовано температурное расширение и температурная зависимость E g (T) монокристаллов FeIn 2 S 4 , CuIn 5 S 8 и MnIn 5.0 S 8.5 . Для описания зависимости E g (T) было использовано соотношение, полученное Пасслером [21].…”

Structural, electronic and optoelectronic properties of AB 5 C 8 ( A = Cu/Ag; B = In and C = S, Se and Te ) compounds

“…Thin films of CuIn 5 S 8 were prepared by Gannouni et al, 8,15 using thermal evaporation method. Later, single crystals of CuIn 5 S 8 were prepared by Bodnar 49 using Bridgman method. In 2013, Shuijin et al 50 synthesized CuIn 5 S 8 and AgIn 5 S 8 through solvothermal route.…”