Resumo. Um problema relacionado ao fenômeno de interferência quântica em um sistema nanoestruturado é investigado através do estudo da segregação de impurezas substitucionais. Tais sistemas são formados pela justaposição de camadas de átomos de metais de transição. A segregação de impurezas substitucionais é tratada a partir do cálculo da variação da energia eletrônica total do sistema, considerando as posições da impureza relativamente à superfície. Empregamos o modelo de ligações fortes, com apenas um orbital por sítio, sendo os potenciais das impurezas determinados de modo a satisfazer a neutralidade de carga através da regra de soma de Friedel. Consideramos uma rede cúbica simples e as direções (100)
e (110).Palavras-chave. Segregação, Multicamadas, Funções de Green.
IntroduçãoDesde o início da década de 1980, sistemas metálicos de baixa dimensionalidade, tais como superfícies, filmes e multicamadas tem recebido uma atenção especial por apresentarem características peculiares e extremamente promissoras em termos de aplicações tecnológicas. Além disso, representam um novo desafio teórico e experimental dos conceitos físicos estabelecidos. A pesquisa nestes sistemas é um empreendimento interdisciplinar, envolvendo diversas áreas do conhecimento tais como Matemática, Física, Química e Ciência dos Materiais.Multicamadas metálicas são materiais formados por camadas de metais dispostas paralelamente umas às outras. Os progressos obtidos na preparação desses sistemas nanoestruturados estão fortemente relacionados ao desenvolvimento das técnicas de alto vácuo [16], das técnicas de crescimento e de análise de suas estruturas. Os métodos de crescimento mais conhecidos são o sputtering (pulverização) [19] e o MBE (epitaxia por feixe molecular) [17]. Na análise da composição desses sistemas, diversas técnicas experimentais podem ser empregadas, dentre as quais