2023
DOI: 10.1016/j.ceja.2022.100440
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TNAs/g-C3N4/AuNPs heterojunction used as integrated device of photocatalytic degradation and SERS detection

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“…为了提高SERS灵敏度, 研究人员将等离激元 金属与半导体纳米材料相结合, 形成等离激元金属/ 半导体异质结构型, 不仅具有等离激元金属产生 的EM, 还具有半导体引起的CM [28] , 能够极大地提 高SERS活性, 与纯金属或半导体相比具有显著优 势 [29] . 例如, Yu等 [30] 设计了CuO/TiO 2 p-n异质结 作为SERS衬底, 用于放大4-巯基苯甲酸(4-MBA) 分子的拉曼信号, 由于内部电场和异质结界面提 供的强界面耦合提高了电荷收集能力并提高了 PICT, 最终实现了对于4-巯基苯甲酸(4-MBA)分 子的超灵敏检测, 增强因子为 8.87×10 6 . Xue等 [31] 制作了一种新型的TNAs/g-C 3 N 4 /AuNPs异质结, 以CV作为探针分子, EF达到7.43×10 6 .…”
unclassified
“…为了提高SERS灵敏度, 研究人员将等离激元 金属与半导体纳米材料相结合, 形成等离激元金属/ 半导体异质结构型, 不仅具有等离激元金属产生 的EM, 还具有半导体引起的CM [28] , 能够极大地提 高SERS活性, 与纯金属或半导体相比具有显著优 势 [29] . 例如, Yu等 [30] 设计了CuO/TiO 2 p-n异质结 作为SERS衬底, 用于放大4-巯基苯甲酸(4-MBA) 分子的拉曼信号, 由于内部电场和异质结界面提 供的强界面耦合提高了电荷收集能力并提高了 PICT, 最终实现了对于4-巯基苯甲酸(4-MBA)分 子的超灵敏检测, 增强因子为 8.87×10 6 . Xue等 [31] 制作了一种新型的TNAs/g-C 3 N 4 /AuNPs异质结, 以CV作为探针分子, EF达到7.43×10 6 .…”
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