TRANSPORTE DE ELÉTRONS DE CONDUÇÃO NO SEMICONDUTOR 4H-SiC SUBMETIDO A CAMPOS ELÉTRICOS

Abstract

Entre os vários politipos do carbeto de silício ( -SiC), o 4H-SiC é reconhecido como o semicondutor mais atraente para operação em dispositivos eletrônicos de alta potência, alta frequência e alta temperatura devido a seu maior gap e maior mobilidade de portadores que o de outros politipos. Neste artigo foram determinados o deslocamento e a velocidade dos elétrons de condução no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo . O transporte dos elétrons de condução no semicondutor 4H-SiC foi obtido utilizando uma equação diferencial de movimento baseada na lei de força com adaptações quânticas, obtendo-se a mobilidade em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado e da temperatura. Foi constatado um aumento linear da velocidade em função do campo elétrico e uma diminuição não linear da mesma com o aumento da temperatura. A maior mobilidade ocorre quando a direção do campo elétrico aplicado é perpendicular ao eixo cristalico “ ” do cristal semicondutor 4H-SiC.