TSM‐gewachsene Halbleiter‐Einkristalle aus (Pb<sub>0,8</sub>Sn<sub>0,2</sub>)Te

Durch entsprechende Wahl der Zusammensetzung der Lösungsmittelzone, des Quellkristalls und des Substratkristalls lassen sich mit Hilfe einer im Temperaturgradienten wandernden Lösungsmittelzone (Travelling Solvent Method, TSM) etwa 0,5 mm dicke Pb1−xSnxTe‐Einkristallscheiben mit variierendem x herstellen. Die aus Untersuchungen an einer Elektronenstrahl‐Mikrosonde ermittelte Zusammensetzung der Kristalle wird mit Hilfe einer elementaren Theorie beschrieben. Es werden Angaben über die Zinnsegregation bei der Züchtungstemperatur 585 °C gemacht.

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Die Züchtung von Pb_1−xSn_xTe‐Einkristallen mit vorgegebenem Zusammensetzungsgradienten mit Hilfe einer wandernden Lösungsmittelzone

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Nötzel

Ermisch

1978

Cryst Res and Technol

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On segregation during crystal growth from a solution zone

Gille

1988

Cryst. Res. Technol.

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The distribution in a niixed crystal A1-,B,C grown from an either (A, B)-rich or C-rich solution zone (e.g. travelling heater method or related techniques) is to be described by PFANN'S zone melting function which depends on the segregation coefficient and a characteristic length. Using pseudobinary mole fractions x the characteristic length of the distribution function is not the actual length of the liquid solution zone but an effective zone length is to be regarded which may be considerably smaller or much bigger for C-rich or (A, B)-rich solutions zones, respectively.Die Verteilung in einem Mischkristall Ai-,B,C, der aus einer (A, B)-reichen oder Creichen LGsungszone geziichtet wurde (z. B. travelling heater method oder iihnliche Verfahren), ist durch PFANNS Zonenschmelzfunktion zu beschreiben, die vom Verteilungskoeffizienten und der Zonenlange abhlngt. Wenn pseudobinare Molenbruche x zur Beschreibung verwendet werden, ist statt der tatsachlichen Liinge der Losungszone eine effektive Zonenliinge zu betrachten, die fur den Verlauf der Verteilungsfunktion charakteristisch ist. Sie kann betriichtlich kleiner (C-reiche Losungszone) oder wesentlich groDer ((A, B)-reiche LBsungszone) als die wirkliche Liinge der verwendeten flussigen Zone sein.

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A study of planar Cd-diffused Pb1−xSnxTe photodiodes

Behrendt

Wendlandt

1980

Phys. Stat. Sol. (a)

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A SiO, layer is used as a diffusion mask and passivating layer in preparing planar n-p+ PbSnTe photodiodes by Cd diffusion. These diodes exhibit resist,ance-area products (roA) up to 4 R cm2 and maximum quantum efficiencies of 20% a t 10pm and 82K. I n contrast to other PbSnTe photodetectors the spectral response of these n--p+ photodiodes is mainly determined by the depletion layer, too. By comparing capacitance vs. bias voltage and detectivity vs. wavelength curves measured with the calculated contribution of depletion region to quantum efficiency, ncw information is obtained about some details of the Cd-profile and the photoelectric effect near the n-pi junction.Si0,-Schichten konnen als Diffusionsmaske und Passivierungsschicht bei der Herstellung planarer Cd-diffundierter PbSnTe-Photodioden eingesetzt werden. Die realisierkn Diodcn weisen Nullpunktswiderstand-Flachen-Produkte (roA) bis zu 4 Rcm2 und maximale Quantenausbeuten bis 20% fur 10 pm und 82 K auf. Im Gegensatz zu anderen bekannten PbSnTe-Detektoren wird die spektrale Empf indlichkeit dieser n-p+-Photodioden wesentlich auch durch die Dimensionierung der Raumladungszone bestimmt. Aus dem Vergleich der gemcssenen KapazitLts-Sperrspannungsund Detektivitkts-Wellenlangen-Abhangigkeiten mit berechneten Werten des Reitrages der Raumladungszone zur Quantenausbeute ergebcn sich neue Informationen iiber Details des Cd-Profils und zum photovoltaischen Effekt in unmittelbarer Nahe des n-p'-uberganges.

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TSM‐gewachsene Halbleiter‐Einkristalle aus (Pb_0,8Sn_0,2)Te

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Die Züchtung von Pb_1−xSn_xTe‐Einkristallen mit vorgegebenem Zusammensetzungsgradienten mit Hilfe einer wandernden Lösungsmittelzone

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