2016
DOI: 10.1063/1.4951668
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Tunneling through localized barrier states in superconducting heterostructures

Abstract: Thin film heterostructures composed of superconducting electrodes (molybdenum rhenium alloy) and a nanoscale silicon layer doped with tungsten, have been designed and experimentally studied. The current-voltage characteristics of junctions exhibiting local maxima of the current against the background of abrupt current increases for the first time, were measured in the voltage range of −800 to 800 mV, at temperatures of 4.2–8 K. The positions of these singularities, which are symmetrical with respect to zero vo… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
1
1

Citation Types

0
6
0
7

Year Published

2017
2017
2021
2021

Publication Types

Select...
6

Relationship

1
5

Authors

Journals

citations
Cited by 23 publications
(13 citation statements)
references
References 4 publications
0
6
0
7
Order By: Relevance
“…При движении вдоль таких траекторий имеет место взаимное увеличение результирующей амплитуды когерентных электронных волн при их наложении друг на друга (конструктив-ная интерференция), в результате чего вероятность туннелирования увеличивается с ростом электронной энергии вплоть до значений порядка единицы. На практике этот эффект проявляется в виде максимума функции G( Как было показано в работе [5], для того, чтобы описать вольтамперную кривую с отрицательным дифференциальным сопротивлением, подобную тем, которые были получены в работе [2], приведённую выше модель двухуровневой системы надо дополнить ещё одной степенью свободы. Согласно [5] следует предположить, что основное (0) состояние двухуровневой системы не вырождено, в то время как возбуждённое (1) состояние с большей энергией состоит из N 1 энергетически эквивалентных состояний.…”
Section: теоретическая модельunclassified
See 4 more Smart Citations
“…При движении вдоль таких траекторий имеет место взаимное увеличение результирующей амплитуды когерентных электронных волн при их наложении друг на друга (конструктив-ная интерференция), в результате чего вероятность туннелирования увеличивается с ростом электронной энергии вплоть до значений порядка единицы. На практике этот эффект проявляется в виде максимума функции G( Как было показано в работе [5], для того, чтобы описать вольтамперную кривую с отрицательным дифференциальным сопротивлением, подобную тем, которые были получены в работе [2], приведённую выше модель двухуровневой системы надо дополнить ещё одной степенью свободы. Согласно [5] следует предположить, что основное (0) состояние двухуровневой системы не вырождено, в то время как возбуждённое (1) состояние с большей энергией состоит из N 1 энергетически эквивалентных состояний.…”
Section: теоретическая модельunclassified
“…Предложена теоретическая модель, которая позволяет объяснить возникновение эффекта отрицательной дифференциальной проводимости в сложных гетероструктурах с проводящими электродами, разделёнными изолирующей прослойкой с наноразмерными металлическими гранулами (см. эксперименты [2,3,10]). Согласно нашей модели в такой прослойке имеют место квантово-перколяционные траектории с зависящей от поданного напряжения вероятностью электронного перехода из одной обкладки в другую.…”
Section: выводыunclassified
See 3 more Smart Citations