Ultra low density of CdTe quantum dots grown by MBE

Abstract

This work presents methods of controlling the density of self-assembled CdTe quantum dots (QDs) grown by molecular beam epitaxy. Two approaches are discussed: increasing the deposition temperature of CdTe and the reduction of CdTe layer thickness. Photoluminescence (PL) measurements at low temperature confirms that both methods can be used for significant reduction of QDs density from 10 10 QD/cm 2 to 10 7 -10 8 QD/cm 2 . For very low QDs density, identification of all QDs lines observed in the spectrum is possible.

Comparison of magneto-optical properties of various excitonic complexes in CdTe and CdSe self-assembled quantum dots

“…A. Relative emission energy of X, XX, X + , and X − The energy of the emission lines related to particular QD strongly depends, e.g., on the growth procedure and the QD size 20 , but in this work we focus rather on the structure of a PL spectrum of a single QD. Figs 1(a) and 1(b) present PL spectra of a single CdSe/ZnSe and CdTe/ZnTe QD.…”

Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

“…В настоящее время усилия многих исследовательских групп направлены на поиск методов формирования полупроводниковых квантовых точек низкой плотности, которые могут эффективно использоваться в качестве активной среды однофотонных излучателей для таких приложений как квантовая криптография [1][2][3], для различных схем квантовых вычислений [4][5], а также прецизионных измерений [6,7]. Разработаны различные технологические режимы эпитаксиального роста самоорганизующихся КТ или последующего отжига структуры, позволившие уменьшить плотность КТ InAs/InP до < 10 9 cm −2 [8], КТ InAs/InGaAsP/InP (100) до 1.3 • 10 9 cm −2 [9], КТ CdTe до 10 7 −10 8 cm −2 [10]. Также для создания КТ низкой плотности, применяется более сложный метод формирования с использованием ростовой поверхности предустановленной морфологии (site-controlled epitaxy) [11,12].…”

“…Недавно в работе [13] был предложен новый способ формирования полупроводниковых трехмерных островков при замещении фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP (толщиной менее 3 nm) с использованием подложек GaAs. В этом случае на поверхности GaAs фор-мируются трехмерные островки InGaPAs/GaAs овальной формы, низкой плотности (∼ 1.3 • 10 10 cm −2 ), вытянутые вдоль направления [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10] и излучающие в спектральном диапазоне вблизи 1 µm при комнатной температуре.…”

MBE Growth of CdTe/ZnTe Quantum Dots with Single Mn Ions

“…Recently developed technique of the growth of low density self assembled CdTe QDs [5] has led us to grow also such QDs with manganese ions. With ultra low density of QDs nding and isolating dots with single Mn ion is relatively easy.…”