XXII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г. Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg-=SUB=-1-x-=/SUB=-Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Te

Abstract

Разработан метод расчета состояний многовалентных доноров и акцепторов в Hg 1−x Cdx Te материалах. Рассчитаны энергии ионизации глубоких акцепторных и донорных центров в эпитаксиальных Hg 1−x Cdx Te-пленках. Метод расчета учитывал влияние как валентной зоны, так и зоны проводимости на состояния примесно-дефектных центров. Проведенные расчеты энергий уровней четырехвалентных акцепторов и доноров, связанных с дефектами кристаллической структуры, указывают на межцентровую природу линий, наблюдаемых ранее в спектрах фотолюминесценции Hg 1−x Cdx Te-пленок.