Представлены экспериментальные результаты исследования генерации терагерцового излучения периодическими массивами полупроводниковых нитевидных нанокристаллов на основе GaAs при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами. Было обнаружено, что генерация ТГц излучения имеет резонансный характер вследствие резонансного возбуждения цилиндрических мод в нанокристалле и при оптимальных геометрических параметрах массива полупроводниковых нитевидных нанокристаллов эффективность ТГц генерации превышает аналогичную величину для объемного полупроводника p-InAs, который на данный момент является одним из наиболее эффективных когерентных терагерцовых эмиттеров.

Проведены исследования межзонной фотопроводимости и фотолюминесценции в узкозонных волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, дизайн которых предназначен для получения длинноволнового стимулированного излучения в условиях оптической накачки. В структурах n-типа времена релаксации фотопроводимости достигают нескольких микросекунд, что позволяет наблюдать стимулированное излучение на длине волны 10.2 мкм с низкой пороговой интенсивностью накачки ~100 Вт/см2 при 20 K. В структурах p-типа, полученных отжигом для увеличения концентрации вакансий ртути, из-за резкого уменьшения времени жизни относительно безызлучательной рекомбинации Шокли-Рида-Холла не удается наблюдать даже спонтанное излучение из квантовых ям.

The paper considers the possibility of forming a Bose-Einstein condensate (BEC) of excitons in a model non-ideal lattice of a molecular crystal. The spectrum of the corresponding exciton excitations is analyzed. Within the framework of the virtual crystal approximation, a numerical simulation of the potential dependence on the concentration of structural defects was performed, and on this basis, the features of the appearance of exciton condensate in a non-ideal system were studied. It is shown under what conditions the appearance of light and dark excitons BEC is possible.

No abstract

Разработан метод расчета состояний многовалентных доноров и акцепторов в Hg 1−x Cdx Te материалах. Рассчитаны энергии ионизации глубоких акцепторных и донорных центров в эпитаксиальных Hg 1−x Cdx Te-пленках. Метод расчета учитывал влияние как валентной зоны, так и зоны проводимости на состояния примесно-дефектных центров. Проведенные расчеты энергий уровней четырехвалентных акцепторов и доноров, связанных с дефектами кристаллической структуры, указывают на межцентровую природу линий, наблюдаемых ранее в спектрах фотолюминесценции Hg 1−x Cdx Te-пленок.