XXIII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г. Вертикальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом на основе GaAs

Abstract

The first results on the creation of an original power GaAs field-effect transistor with a vertical channel controlled by the p-n junction are presented. The main technological feature is the use of two separate processes of epitaxial growth in the formation of the transistor structure. The part of the transistor containing the drain, drift and gate areas is grown by liquid-phase epitaxy. The technology of organometallic gas-phase epitaxy is used to form the areas of the channel and the source.

Organometallic Gas-Phase Epitaxy Growth of Gallium Arsenide on a Non-Planar Surface Obtained by Etching in Chlorpentafluoroethane Plasma

“…Одним из способов увеличения тока полевых транзисторов с управляющим p-n переходом на основе арсенида галлия является вертикальное расположение канала [1]. Сформировать такой канал возможно путем анизотропного плазмохимического травления с последующим заращиванием методом металлоорганической газофазной эпитаксии.…”