Bei der Züchtung von Kupferphthalocyanin‐Einkristallen aus der Gasphase bilden sich häufig Hohlformen. Diese Erscheinung erschwert bzw. verhindert vorgesehene experimentelle Studien. Untersuchungen zur Überwindung dieser Schwierigkeiten werden beschrieben. Ursachen des Hohlwachstums sind, wie aus den Beobachtungen von Oberflächenstörungen und aus zielgerichteten Züchtungsexperimenten hervorgeht, Wachstumsinstabilitäten, hervorgerufen durch diffusionsbedingte Inhomogenität der Überschreitung über der Wachstumsfront. Durch die Einführung besonderer Verfahrensweisen der Züchtung und Wahl bestimmter Parameter gelang es, volle Kristalle größerer Abmessungen, bis zu einem Millimeter in Querrichtung, zu erhalten. Veröffentlichungen zum Hohlwachstum anderer Substanzen aus der Gasphase werden referiert.