Аномальное Поведение Боковой C-v-Характеристики Мноп-Транзистора Со Встроенным Локальным Зарядом В Нитридном Слое

Abstract

Поступило в Редакцию 16 августа 2018 г. В окончательной редакции 2 ноября 2018 г. Принято к публикации 14 декабря 2018 г.Выполнено моделирование C−V -зависимости для бокового перехода исток−подложка транзистора металл−нитрид−оксид−полупроводник. Встраивание локального ловушечного заряда в нитридный слой приводит к аномальному скачку или спаду емкости перехода при определенных напряжениях на переходе, зависящих от концентрации легирующей примеси в подложке. Такое изменение емкости связано с перераспределением носителей заряда в приповерхностной области подложки, вызванным встраиванием локального заряда. Данная особенность поведения вольт-фарадной характеристики может быть использована для детектирования локального заряда, встроенного в диэлектрический слой полевого транзистора.

Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора

“…При масштабировании МОП-транзисторов возникают различные деградационные эффекты. Среди них можно отметить короткоканальные эффекты [2] и усиление чувствительности различных характеристик к встраиванию локального заряда в диэлектрическом слое [3,4] или единичного заряда в подзатворном диэлектрическом слое либо на границе подзатворного диэлектрика с каналом, приводящего к проявлению случайных телеграфных шумов (СТШ) в токе стока [5]. Для ослабления короткоканальных эффектов, возникающих в МОП-транзисторах при уменьшении их размеров до нанометровых масштабов, разработаны трехзатворные вертикальные полевые транзисторы (FinFET-транзисторы).…”