Поступило в Редакцию 16 августа 2018 г. В окончательной редакции 2 ноября 2018 г. Принято к публикации 14 декабря 2018 г.Выполнено моделирование C−V -зависимости для бокового перехода исток−подложка транзистора металл−нитрид−оксид−полупроводник. Встраивание локального ловушечного заряда в нитридный слой приводит к аномальному скачку или спаду емкости перехода при определенных напряжениях на переходе, зависящих от концентрации легирующей примеси в подложке. Такое изменение емкости связано с перераспределением носителей заряда в приповерхностной области подложки, вызванным встраиванием локального заряда. Данная особенность поведения вольт-фарадной характеристики может быть использована для детектирования локального заряда, встроенного в диэлектрический слой полевого транзистора.