2018
DOI: 10.21883/ftp.2018.09.46230.8691
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Влияние Высокодозной Имплантации Углерода На Фазовый Состав, Морфологию И Автоэмиссионные Свойства Кристаллов Кремния

Abstract: The study of high-dose carbon-ion implantation without post-process annealing reveals significant modification of the morphology, surface-layer phase composition, and field-emission properties of silicon wafers. The effect of the electrical conductivity type on the evolution of the silicon-crystal surface morphology, upon a variation in the irradiation dose, and a high content of diamond-like phases in the region of microprotrusions at the maximum dose regardless of the electrical conductivity type are found. … Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2019
2019
2019
2019

Publication Types

Select...
1

Relationship

1
0

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(2 citation statements)
references
References 3 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Повышенные автоэмиссионные свойства различных углеродных структур в последнее время привлекают внимание исследователей в связи с необходимостью создания сильноточных автоэмиссионных источников электронных пучков [1][2][3][4][5], и этим вопросам посвящено значительное число публикаций, например, . Имеются работы как по исследованию автоэмиссионных структур (АС) острийного и лезвийного типов [7,[16][17][18][19][20][23][24][25], в том числе с катодными матрицами типа Спиндта с тянущими сетками [3,5,24], использующие эффект усиления поля на остриях и лезвиях, так и работы по исследованию эмиссии с пространственно развитых поверхностей [1,2,[8][9][10][11][12]15,[20][21][22][26][27][28][29][30][33][34][35][36], публикации по технологии и синтезу эмиссионных структур [6][7][8][9][10][11][12][13]21,…”
Section: Introductionunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Повышенные автоэмиссионные свойства различных углеродных структур в последнее время привлекают внимание исследователей в связи с необходимостью создания сильноточных автоэмиссионных источников электронных пучков [1][2][3][4][5], и этим вопросам посвящено значительное число публикаций, например, . Имеются работы как по исследованию автоэмиссионных структур (АС) острийного и лезвийного типов [7,[16][17][18][19][20][23][24][25], в том числе с катодными матрицами типа Спиндта с тянущими сетками [3,5,24], использующие эффект усиления поля на остриях и лезвиях, так и работы по исследованию эмиссии с пространственно развитых поверхностей [1,2,[8][9][10][11][12]15,[20][21][22][26][27][28][29][30][33][34][35][36], публикации по технологии и синтезу эмиссионных структур [6][7][8][9][10][11][12][13]21,…”
Section: Introductionunclassified
“…Для второго направления используют углеродные нанокластеры различной гибридизации, которые могут быть расположены на графите, металле, кремнии, карбиде кремния и других материалах. Интересны наноалмазные, нанографитовые и алмазографитовые пленки (АГП) [1,2,6,[8][9][10]15,[20][21][22][26][27][28][29][30][31][34][35][36][37][38][39][40][41][42][43][44][45][46][47]. Пленки из наноалмазных кластеров являются почти диэлектрическими.…”
Section: Introductionunclassified