Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов

Abstract

Исследуется влияние конструкции метаморфного буферного слоя на изменения с течением времени электрофизических характеристик метаморфных транзисторов InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов. С помощью Холловских измерений показано, что транзисторная гетероструктура с метаморфным буфером на основе сверхрешеток In(Al)GaAs/InAlAs обладает наибольшими значениями концентрации и подвижности электронов в канале и наименее подвержена деградации с течением времени. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643