Влияние Нарушенных Слоев На Диэлектрические Свойства Конденсаторных Структур На Основе Сегнетоэлектрических Пленок

Abstract

Конденсаторные сегнетоэлектрические структуры являются основой многих современных устройств микроэлектроники, в том числе энергонезависимой памяти, пьезоэлектрических микро-актюаторов, датчиков и пр. Тенденция миниатюризации подобных устройств, требует уменьшения толщины сегнетоэлектрического слоя, что приводит к снижению важнейших характеристик сегнетоэлектрических структур, таких как диэлектрическая проницаемость, остаточная поляризация, температура Кюри и др. Подобные толщинные зависимости, как правило, интерпретируют в рамках модели «нарушенного слоя», предполагающей существование несегнетоэлектрических нарушенных, «мертвых» слоев постоянной толщины на границе сегнетоэлектрик-металл. В данной работе исследованы диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе плотных и пористых пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) различной толщины. Проведено моделирование зависимостей диэлектрической проницаемости от толщины с учетом нарушенных слоев, определена оптимальная методика моделирования.

Preserving the traditions of the scientific school. To the 130th anniversary of the birth of S.N. Ushakov

“…Об истории кафедры, ее сотрудниках, формировании научной школы, результатах педагогической деятельности опубликовано достаточно много статей [4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14]. В этой статье рассмотрены направления научной деятельности кафедры на разных этапах ее развития.…”