Влияние Ориентации Кремниевой Подложки С Буферным Подслоем Карбида Кремния На Диэлектрические И Полярные Свойства Пленок Нитрида Алюминия

Abstract

The dielectric and polar properties of thin films of aluminum nitride (AlN) epitaxially grown on variously oriented p-type silicon substrates with a buffer sublayer of silicon carbide (SiC), as well as on vicinal planes, are studied. According to the results of studies of the polar properties by two independent methods — the dynamic pyroelectric effect and piezoelectric force microscopy, it was shown that the use of a SiC buffer layer significantly improves the polar properties of thin layers of aluminum nitride.

Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)

“…В полуполярных структурах ось c наклонена под определенным углом к плоскости подложки и пьезоэлектрическая поляризация либо вообще отсутствует, либо незначительна. В работе [1], посвященной сравнению диэлектрических и полярных свойств пленок AlN, выращенных на подложках Si различной ориентации с буферным слоем наноразмерного SiC, было однозначно экспериментально показано, что пирои пьезосвойства этих пленок напрямую коррелируют с ориентацией полярной оси c относительно подложки Si.…”