Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

Abstract

Впервые изучены степень разупорядочения, толщина разупорядоченных слоев d и их влияние на ширину запрещенной зоны Eg монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar+. Показано, что значение d при энергиях ионов E0=1 и 2 кэВ составляет ~(100-120) и ~(150-160) Angstrem соответственно. При этом плотность состояний электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяется, уменьшается коэффициент пропускания света до K= 55-60%, а значение Eg увеличивается на ~10%. При бомбардировке ионами Ni+ разупорядочение поверхности сопровождается резким изменением состава поверхностных слоев и вследствие этого K уменьшается до 5-10%. После прогрева при T=900 K формируются нанокристаллы (при дозах D≤1015 см-2) и нанопленки NiSi2 (D=6·1016 см-2). Ключевые слова: ионная бомбардировка Si, электронные свойства, оптические свойства, тонкие слои, отжиг.

Особенности фотоэлектронных спектров Ge, имплантированного ионами Na-=SUP=-+-=/SUP=-

“…На данный момент хорошо изучены электронное строение, физические свойства наноразмерных структур типа MeSi 2 , созданных в Si методами ионной имплантации [14][15][16][17][18] и молекулярно-лучевой эпитаксии [19]. Однако до сих пор отсутствуют результаты экспери-ментальных исследований влияния низкоэнергетической имплантации ионов активных металлов на состав, плотности состояния валентных электронов и параметры зон Ge.…”