Влияние Рассеяния Распыленных Атомов На Скорость Роста Пленок, Полученных Методом Магнетронного Распыления

Abstract

Приведены результаты теоретических расчетов доли нерассеянных распыленных атомов при магнетронном распылении. Экспериментально полученная зависимость скорости роста пленок кремния от давления обнаруживает корреляцию с теоретически рассчитанной зависимостью доли нерассеянных распыленных атомов. Увеличение давления в рассматриваемом диапазоне 1.5-8.5 mTorr приводит к снижению скорости роста пленок кремния на 25%, при этом уменьшение доли нерассеянных распыленных атомов на расстоянии катод-подложка достигает 90%. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44950.16804

Влияние Парциального Давления Кислорода На Стехиометрический Состав Пленок Оксида Титана В Процессе Магнетронного Нанесения

“…Рассмотрим процесс распыления мишени в газовом разряде, для того, чтобы вычислить активность титана в газовой фазе. Концентрация атомов титана (N g Ti ), которые распыляются, зависит от концентрации первичных атомов, бомбардирующих мишень, и от коэффициента распыления, который зависит от попадающих на мишень атомов [35]:…”

Влияние Слоя Аморфного Кремния На Адсорбционные Свойства Полупроводниковой Структуры В Условиях Фотостимуляции

“…В исследовании использовались подложки c-Si кристаллографической ориентации (100) n-и p-типов проводимости с удельным сопротивлением 4 · cm, на которых формировался слой a-Si толщиной 100 nm с удельным сопротивлением 1 · 10 8 · cm и шероховатостью поверхности 0.1 nm. Пленки a-Si были получе- [11]. Полученные пленки a-Si [12] имели n-тип проводимости и довольно плотную однородную структуру.…”