Приведены результаты теоретических расчетов доли нерассеянных распыленных атомов при магнетронном распылении. Экспериментально полученная зависимость скорости роста пленок кремния от давления обнаруживает корреляцию с теоретически рассчитанной зависимостью доли нерассеянных распыленных атомов. Увеличение давления в рассматриваемом диапазоне 1.5-8.5 mTorr приводит к снижению скорости роста пленок кремния на 25%, при этом уменьшение доли нерассеянных распыленных атомов на расстоянии катод-подложка достигает 90%. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44950.16804

No abstract

The photostimulated adsorption of glucose oxidase (GOx) on the surface of single-crystalline Si wafers with an amorphous silicon (a-Si) layer was examined. Estimation of the difference between the surface coverage by GOx molecules deposited under illumination and in the dark showed that this value increased for the structures with a-Si layer by a factor of 2.5 in the case of n -Si and by a factor of 1.5 in the case of p -Si. It is revealed that the n -Si/a-Si structures can be used for preliminary photostimulation of the GOx adsorption  process.