Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии

Abstract

Light-emitting properties of Ge-on-Si(001) layers doped by Sb were studied by stationary and time-resolved photoluminescence (PL) at room temperature. It was obtained that the PL intensity of n-Ge/Si(001) structures is maximized when the doping level is close to the equilibrium solubility of Sb in Ge (~1019 cm-3) which is in accordance with the previously published data. Time-resolved studies of the direct-related PL signal have shown that both the donor density and the growth conditions of doped layer, in particular, the growth temperature influence the PL kinetics. It was obtained that the increase of doping level leads to the decrease of the characteristic carrier lifetime. Moreover, usage of low growth temperatures which is needed to form the doped n-Ge layers also results in shortening of the carrier lifetime as compared with Ge layers grown at high temperatures. It was found that rapid thermal anneal at proper conditions could partially compensate the above mentioned detrimental effects and lead to the increase of both the PL intensity and carrier lifetime.

Влияние осаждения атомов Ba и имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на электронную структуру монокристаллического Ge

“…В частности, нанофазы и нанослои силицидов и германидов металлов имеют перспективы в создании СВЧ-транзисторов и интегральных схем, а гетероструктуры Ge x Si 1−x /Siв создании светодиодов, фотодетекторов, лазерных источников, оптических и электронных приборов [5][6][7][8][9][10][11][12]. В связи с этим в последние годы хорошо изучены состав, электронная и кристаллическая структуры, эмиссионные и оптические свойства наноразмерных гетероструктур и слоев, созданных методами молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазной и газофазной эпитаксий на поверхности Si и Ge [13][14][15][16]. В последние годы метод ионной имплантации широко используется для контролируемого изменения физических свойств полупроводников.…”