For the first time, the energy band value λ' of true-secondary electrons and photoelectrons of pure theta≤1 monolayer-thick CdTe and CdTe with Ba films has been estimated. It is shown that with a decrease in the surface work function by 2 eV, the value of λ' increases by 1.2–1.3.

С использованием метода ионной имплантации получена двуслойная система типа CoSi 2 /Si/CoSi 2 /Si и определены оптимальные режимы имплантации и отжига для ее формирования. Показано, что такая система формируется, когда разности между высокой и низкой энергией ионов составляет не менее 15−20 keV. Сформированные структуры имели гладкую поверхность с высокой кристалличностью.

В работе исследовано влияние разупорядочения приповерхностных слоев на электронные и оптические свойства монокристаллического кремния. Анализ спектров фотоэлектронов показал, что при полной аморфизации поверхности плотность состояний валентных электронов Si существенно изменяется. В частности, положение основного максимума электронов валентной зоны Si(111) смещается на ~0.4 эВ в сторону больших энергий связи, и ширина запрещенной зоны Еg увеличивается на 0.1−0.15 эВ. Дано теоретическое обоснование полученных экспериментальных результатов. Изучено также влияние разупорядочения поверхностных слоев на оптические свойства.

С использованием метода имплантации ионов Ва+ с Е0=15 и 30 кэВ получена трехслойная система CdTe/Cd0.5Ва0.5Те/CdTe и определены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига их формирования. Показано, что в процессе ионной бомбардировки приповерхностного слоя в зависимости от дозы ионов CdTe сильно разупорядочивается и различные слои обогащаются. Изучены состав и электронная структура ионно-легированных слоев до и после прогрева при оптимальной температуре.

С использованием методов вторичной и фотоэлектронной спектроскопии изучена электронная структура наноструктур CdМеTe. В частности, впервые показано, что в зоне проводимости пленки CdZnTe при энергиях 3.5 и 4.4 эВ относительно Еv имеются максимумы свободных электронных состояний.