2019
DOI: 10.21883/jtf.2019.07.47809.4-19
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba

Abstract: For the first time, the energy band value λ' of true-secondary electrons and photoelectrons of pure theta≤1 monolayer-thick CdTe and CdTe with Ba films has been estimated. It is shown that with a decrease in the surface work function by 2 eV, the value of λ' increases by 1.2–1.3.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2020
2020
2021
2021

Publication Types

Select...
2

Relationship

2
0

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(2 citation statements)
references
References 3 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Влияние адсорбции атомов активных элементов на структуру и физические свойства полупроводниковых материалов остается малоизученным. В работе [17]…”
unclassified
“…Влияние адсорбции атомов активных элементов на структуру и физические свойства полупроводниковых материалов остается малоизученным. В работе [17]…”
unclassified
“…Обнаружено увеличение коэффициента вторично-электронной эмиссии в 3−4 раза. Нами ранее [13][14][15] имплантацией ионов активных металлов на поверхность и приповерхностную область Si, GaAs, CdTe, SiO 2 и CaF 2 получены наноразмерные фазы и пленки двух-и трехкомпонентных соединений, и изучены их состав и электронные свойства. Однако до сих пор не проводились исследования по влиянию имплантации ионов активных металлов на физические и другие свойства оксидов Mo.…”
unclassified