Время Жизни Неравновесных Носителей Заряда В Полупроводниках С Близкими Значениями Запрещенной Зоны И Спин-Орбитального Отщепления

Abstract

Expressions for the Auger- and radiative-recombination rates are derived in terms of Kane’s model for materials with a band-gap width close to the spin-orbit splitting energy, which is the case for InAs, InAsSb solid solutions, etc. Our results are compared with simplified expressions for recombination rates, frequently used in publications. It is shown that the nonparabolicity of the electronic structure should be taken into account in calculations of the recombination rates. As an example, the temperature dependences of the charge-carrier lifetimes governed by radiative and non-radiative processes are calculated for InAsSb solid solutions.

Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe

“…Этот механизм наиболее медленный среди рассматриваемых механизмов рекомбинации, и его рассмотрение здесь имеет в основном сравнительно-иллюстративную цель. Отметим, что излучательная рекомбинация в твердом растворе Cd x Hg 1−x Te изучалась в работе [20].…”

Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs

“…2, a показаны расчетные спектры оптического поглощения материала рассматриваемых подложек. Расчет показателя поглощения был выполнен с использованием пакета MATLAB по выражениям из работы [7]. Параметры материала и выражения для их расчетов брались из работы [8].…”

Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот

“…Высокое качество получаемых эпитаксиальных слоев было подтверждено исследованиями длинноволновой фотопроводимости [13] и фотолюминесценции [14]. В частности, недавние работы [14][15][16][17][18] свидетельствуют о возможности подавления безызлучательных механизмов рекомбинации в узкозонных эпитаксиальных пленках HgCdTe, выращенных на подложках GaAs(013). В связи с этим заслуживает рассмотрения вопрос о возможности использования твердых растворов HgCdTe в качестве материала для приемников терагерцщового (ТГц) диапазона.…”