2021
DOI: 10.21883/pjtf.2021.15.51225.18824
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике

Abstract: The morphology of Al0.3Ga0.7As / GaAs superlattices grown by molecular beam epitaxy was determined by X-ray reflectometry (including a synchrotron radiation source) and photoluminescence. The thicknesses of the superlattice layers with 100 periods, found using laboratory and synchrotron studies, correlate with an accuracy of ~ 1%. At the synchrotron, beginning with high (> 4−5) Bragg orders, reflection peaks were found that are not observed in measurements with a diffractometer and are apparently associated… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2022
2022
2023
2023

Publication Types

Select...
3

Relationship

0
3

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(2 citation statements)
references
References 15 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Результаты этих исследований показали, что выращенные СМП-структуры обладали высоким структурным совершенством, а отклонения толщин слоев и шероховатость интерфейсов были незначительными [25 -27]. Для ряда структур также были получены спектры фотолюминесценции (ФЛ) [26]. Положение пиков ФЛ с удовлетворительной точностью соответствует положению уровней, полученных с помощью методов численного моделирования.…”
Section: экспериментальные образцыunclassified
“…Результаты этих исследований показали, что выращенные СМП-структуры обладали высоким структурным совершенством, а отклонения толщин слоев и шероховатость интерфейсов были незначительными [25 -27]. Для ряда структур также были получены спектры фотолюминесценции (ФЛ) [26]. Положение пиков ФЛ с удовлетворительной точностью соответствует положению уровней, полученных с помощью методов численного моделирования.…”
Section: экспериментальные образцыunclassified
“…Таким образом, рассматриваемые микроструктуры являются перспективными в качестве оптических элементов для решения задач повышения эффективности детектирования ИК-излучения, усиления сигнала и конверсии в видимый и ближний ИК-диапазоны. Следует отметить, что проблема создания структур, период которых выдержан с высокой точностью (разброс меньше 1%), актуальна и обсуждается применительно к разработке новых оптических элементов и источников лазерного излучения [7][8][9].…”
Section: поступило в редакцию 18 ноября 2021 г в окончательной редакции 20 декабря 2021 г принято к публикации 20 декабря 2021 гunclassified