Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность

Abstract

Предложена модель гетероструктуры, представляющей собой монослой карбида кремния, сформированный на массивной кремниевой подложке. Рассмотрена задача об адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на атомах углерода и кремния поверхности гетероструктуры 2D SiC/Si. Приведены аналитические оценки перехода заряда и энергии адсорбции. Ключевые слова: двумерные гексагональные слои, полупроводниковая подложка, плотность состояний, адсорбция.