Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs

Abstract

Гетероструктуры с квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs, легированные пространственно удаленными моноатомными слоями Mn, были получены на подложке GaAs(001) в режиме монослойного наращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Комбинированные исследования полученных образцов были проведены при помощи метода вторичной ионной масс-спектрометрии, рентгено-дифракционных измерений и с использованием просвечивающего электронного микроскопа. Исследуемые гетероструктуры с концен-трацией легирующей примеси 0.5 монослоя были упруго напряжены и демонстрировали планарные четкие границы раздела без видимых протяженных и точечных дефектов. Предложена методика визуализации распределения концентрации марганца в трехмерной матрице GaAs вблизи квантовой ямы. Согласно экспе-риментальным результатам существует вероятность диффузии марганца в квантовую яму GaAs/InGaAs/GaAs при уменьшении критической толщины буферного слоя GaAs менее 3 нм.Работа была выполнена при частичной поддержке проекта РФФИ (№ 15-02-08909).

Новое Ограничение Разрешения По Глубине При Послойном Элементном Анализе Методом Времяпролетной Вторично-Ионной Масс-Спектрометрии: Влияние Зондирующего Ионного Пучка

“…Цель настоящей работы состоит в изучении влияния зондирующего пучка ионов висмута на разрешение по глубине при послойном анализе на установке TOF.SIMS-5. Отметим, что достижение предельного разрешения по глубине остается одной из актуальных проблем послойного анализа методом ВИМС [7][8][9].…”

Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца

“…Следует отметить, что профиль δ-слоя, вставленного в полупроводниковую матрицу, может размываться из-за взаимной диффузии атомов, так что толщина буферного слоя становится того же порядка, что и типичная ширина размытого δ-слоя. GaAs/Ga 0.84 In 0.16 As/GaAs) и марганца, которые получены согласно методике, представленной в работе [6].…”

“…Для решения этой проблемы в последние годы получили развитие исследования гетероструктур, в которых магнитная примесь присутствует в виде ультратонкого слоя (δ-слоя) в объеме полупроводниковой матрицы [4,5]. Для изучения такого рода объектов авторами настоящей работы была разработана методика создания δ-слоя марганца различной концентрации вблизи квантовой ямы в гетероструктурах на основе соединений GaAs [6]. Применение методики δ-легирования позволяет получать как низкую, так и высокую концентрацию магнитной примеси в масштабах области, соизмеримой с постоянной решетки матрицы.…”